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美国参议院财政委员会6月16日发布参院版税收法案，扩大租税减免，媒体报道指出，包括暂时提高半导体制造业者投资租税减免比率、给予干净能源税务抵减优惠延长等，外界看好台积电、环球晶等投资美国企业能直接受惠。
但因部分条文与美国众院版有重大歧异，可能掀美国共和党“税收内战”，威胁总统特朗普“大而美”法案的前景。
美国参院财政委员会6月16日发布参院版租税法案后，力拼下周通过，希望在7月4日独立纪念日前与美国众院敲定最终版本，送交特朗普签署成法律。
美国参院提议把工厂投资的税额抵减比率，从现行25%提高至30%，激励芯片厂商在2026年底租税优惠到期前加速兴建新厂，主要受惠者包括英特尔、台积电、三星、环球晶等厂商。
尽管特朗普一直呼吁废除芯片法，两党议员都不愿取消这项能为选区带来高薪工作的补助计划。
台积电先前已宣布有意加码投资美国千亿美元，美国新厂三厂近期已动工，整体六座新厂建设也按计划进行，台积电美国新厂子公司也对美商务部建言，利用税法可提升美国半导体制造业竞争力。美国官方应寻求延长先进制造业投资抵免时间。支持美国纽约州共和党众议员克劳迪娅·坦尼（Claudia Tenney）最近提出的“建造先进半导体”法案、投资信贷（基本法案）法案，将信贷额度从25%提高到35%，并将投资抵免期限延长到2030年。
半导体硅晶圆大厂环球晶近年扩大美国布局，投入35亿美元兴建得州新厂，扩建密苏里厂12英寸绝缘层上覆硅（SOI）晶圆产能，预计将分阶段获得美国商务部补助约4.06亿美元及25%税收抵减。
若美国税改法案将税收抵减比率从25%提高至30%，环球晶受惠多。
环球晶董事长徐秀兰先前指出，得州新厂第一期厂房第1季已有小量营收挹注，预期今年美国厂营收可望逐季增长，并有意再加码投资40亿美元，在美总投资额达75亿美元，但前提是得州新厂前两期厂区能获利，且有客户需求，才会展开第三期和第四期厂区投资。
美国参院版法案的核心部分与美国众院版相似，但若干调整与美国众院版有重大歧异。
