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台积电美国封装厂开始整地，目标2028年启用
2 周前
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来源：集微网
台积电在美国规划的两座先进封装厂AP1、AP2预计2026年下半年开建，2028年正式启用。AP1将导入SoIC及CoW技术，AP2采用CoPoS技术，满足AI和高性能计算芯片封装需求。
台积电在美国布局持续加速，业界最新消息显示，台积电在美国规划的两座先进封装厂（AP1、AP2）已进入整地工程阶段，预计将于2026年下半年开始建设，目标在2028年正式启用。
据悉，台积电在美国的制程规划中，AP1将导入最先进的SoIC及CoW技术，而AP2则锁定CoPoS技术，以满足当地生产AI和高性能计算（HPC）芯片的封装需求。
其中，SoIC是目前台积电已量产的封装技术中、最为领先的，并会与后段CoWoS、甚至到未来的CoPoS进行整合。目前客户除了有AMD已实现量产外，苹果、英伟达、博通等也都会在高端产品中采用。
此前，台积电曾表示，美国的第三座晶圆厂（P3）将采用N2和A16制程技术，第四座晶圆厂（P4）也将采用相同技术，而第五座和第六座晶圆厂（P5、P6）则将采用更先进的技术。这些晶圆厂的建设和量产计划将根据客户需求而定。
业界人士指出，封装厂的建设速度通常快于晶圆厂。美国封装厂已开始整地，预计明年下半年正式开建，相关设备最快在2028年上半年陆续安装，同年底有望实现小量生产。（校对/赵月）
