1.台积电CoWoS产能拚11.5万片，台四大封测厂同步砸重金；

2.台积电 3nm 工厂或落户日本，日本半导体能否重回巅峰？

3.高通2nm芯片在印度成功流片；

1.台积电CoWoS产能拚11.5万片，台四大封测厂同步砸重金；

人工智能（AI）和高性能计算（HPC）对芯片的需求强劲增长，带动半导体先进封装测试需求，包括台积电、日月光投控、力成、硅品、京元电等，今年持续扩大资本支出。 

产业人士分析，AI芯片及ASIC晶圆制程全面微缩至3纳米甚至2纳米制程，并采用CoWoS等先进封装，芯片密度大幅提高，异构集成成为主流封测架构，容错率更严格，突显半导体封装测试制程的重要性。 

台积电今年资本支出估约520亿美元至560亿美元，较2025年实际资本支出409亿美元大幅成长，台积电指出，其中10%至20%用在先进封装测试、光罩生产和其他项目等。 

法人推测，台积电CoWoS先进封装月产能，将从2025年底的每月7万片晶圆，到今年底将扩充至月产能11.5万片，由于CoWoS产能仍短缺，预期台积电将逐步规划既有的8英寸晶圆厂，转型为先进封装厂。 

日月光投控在2025年机器设备资本支出总额34亿美元，其中厂房、设施和自动化资本支出21亿美元，主要为先进封装服务和测试投资。 

展望今年，日月光投控规划机器设备再增加15亿美元投资，其中2/3比重布局先进制程服务，包括CoWoS后段oS封装（on substrate）与晶圆测试（CP）等封测端，并持续推进全制程项目，预期今年先进封测全制程相关营收目标年成长3倍。 

法人评估日月光投控今年持续受惠CoWoS需求外溢效应，今年投控在前段CoW制程，有机会获得来自美系芯片大厂和云端服务供应商（CSP）的订单。 

日月光投控旗下硅品精密1月中旬取得联合再生位于竹科苗栗竹南园区厂房及附属厂务设备，持续扩大先进封装产能。此外，硅品也在彰化二林厂规划设5栋厂房扩充产能，预计2027年全面运转，2028年产能满载。 

硅品先前表示，持续规划布局云林虎尾、云林斗六与台中后里等厂区，成为先进封装重要的生产基地。 

半导体封测厂力成预期，今年至2028年维持高资本支出，预期资本支出规模约新台币300亿元（约合人民币65.91亿元）至400亿元（约合人民币87.88亿元），分阶段逐步投入，主要扩充扇出型面板封装（FOPLP）产能。 

因应AI芯片测试需求，晶圆测试厂京元电持续扩张产能，铜锣4厂兴建中，京元电也透过承租头份厂及杨梅厂招募人才。 

京元电规划今年资本支出新台币393.72亿元（约合人民币86.50亿元），超越2025年的370亿元（约合人民币81.29亿元）规模，再创历史新高。法人评估，京元电今年产能将扩充30%至50%，其中积极扩充高功率预烧老化（Burn-in）测试产能。

2.台积电 3nm 工厂或落户日本，日本半导体能否重回巅峰？

当前，市场格局严重向台积电倾斜。TrendForce数据显示，去年台积电全球代工市场份额已超过70%，与份额约7%的三星电子拉开近十倍差距。行业分析指出，因三星电子初代3纳米良率一度在20-30%区间徘徊，技术差距有所拉大。

面对挑战，三星电子正筹备反攻，计划利用3纳米经验于今年下半年量产更先进的2纳米工艺，并预计今年2纳米订单将较前一年增长130%以上，同时瞄准2029年量产1.4纳米。

然而，若台积电成功将3纳米前沿产能拓展至日本，全球代工竞争预计将更加白热化。特别是在AI半导体需求激增的背景下，一旦日本确立其先进制造枢纽地位，韩国代工厂所瞄准的全球科技巨头及日本本土汽车、机器人公司的部分订单，未来存在流向日本本土的可能性。

日本的“双轨战略”不仅旨在保障自身经济安全，更可能成为改变全球半导体制造力量平衡的关键变量。

3.高通2nm芯片在印度成功流片；

近日，高通公司在印度芯片设计领域实现重要突破，展示了其在该国持续深耕的研发成果。这一里程碑于2月7日公布——高通技术公司宣布已完成2nm半导体设计的流片，标志着印度在先进芯片设计领域迈出关键一步。

在印度铁道部、信息与广播部及电子与信息技术部部长阿什维尼·瓦伊什纳夫参观高通位于班加罗尔的工厂期间，该成果得以正式呈现。高通表示，此项进展不仅体现了其全球工程实力，也凸显了其在班加罗尔、钦奈和海得拉巴的研发中心之间的高效协作。这些研发基地已成为高通在美国以外规模最大、技术最先进的工程团队之一。

公司指出，这一成就进一步巩固了印度作为尖端半导体开发重要枢纽的地位，并展现出高通对支持与加速印度半导体产业发展的长期承诺。

阿什维尼·瓦伊什纳夫部长在参观中表示：“印度正日益成为先进半导体技术未来设计的核心地区。高通在印度展现出的工程实力、深厚的设计能力以及长期投入令人印象深刻。此类里程碑表明，印度设计生态系统已取得长足进步，并与我国打造具有全球竞争力半导体产业的愿景高度契合。”

印度电子信息技术部副部长兼半导体使命首席执行官阿米特什·库马尔·辛哈指出：“在日益完善的设计生态系统及行业持续参与的支持下，印度半导体使命正稳步推进。对先进工程与研发能力的投入对构建本土长期半导体产能至关重要。高通对印度的长期承诺，反映了印度半导体设计生态的不断成熟，并将助力印度实现成为全球半导体创新中心的目标。”

高通印度工程高级副总裁斯里尼·马达利称：“这一成就充分证明了我们在印度工程团队的强大实力与专业深度。开展先进半导体设计需与全球项目及架构团队紧密协作，而我们的印度团队始终保持着世界级水准。我们与印度及全球众多伙伴合作，共同推进数字化转型进程。印度一直是我们全球工程路线图的重要组成部分，本次里程碑再次彰显了印度团队的卓越能力与影响力。”

另一名高通工程高级副总裁沙希·雷迪补充道：“我们在印度的研发中心在系统设计的多个层面——从架构到实现，从软件平台到用例优化——均做出了重要贡献。”

高通在印度的投资已超过二十年，在此期间逐步建立起规模位居美国以外前列的工程研发体系。此次2nm设计流片的完成，进一步印证了印度在全球半导体创新链中日益提升的地位。