1.江波龙：自研主控UFS4.1产品批量出货在即

2.北理工团队在三元铸态有机光伏电池研究中取得重要进展

3.郝跃代表：手握全球95%镓资源，中国芯片要打“优势牌”

1.江波龙：自研主控UFS4.1产品批量出货在即

在存储行业景气度持续攀升的背景下，江波龙近日在与投资者的交流中，详细披露了其在主控芯片、创新产品mSSD以及供应链布局等方面的核心进展。公司明确表示，凭借自研主控芯片的领先技术能力，其旗舰产品已处于批量出货前夕；同时，作为重大产品创新的mSSD凭借其颠覆性的形态优势，正开辟广阔的蓝海市场。

作为存储产品的“大脑”，主控芯片的技术实力直接决定了产品性能的天花板。江波龙对此有着清晰的布局。公司介绍，目前已推出应用于UFS、eMMC、SD卡、高端USB等多领域的自研主控芯片。这些芯片采用领先于主流产品的头部Foundry工艺，并搭配自研核心IP与固件算法，使得公司各类存储产品具备显著的性能和功耗优势。

在代表行业最高水平的旗舰存储产品上，江波龙的技术实力尤为突出。公司透露，全球目前仅有包括江波龙在内的少数企业，具备在芯片层面开发UFS4.1产品的能力。而搭载公司自研主控的UFS4.1产品，在制程、读写速度及稳定性上均优于市场可比产品。基于此领先优势，公司已与多家晶圆原厂及头部智能终端设备厂商构建了深度合作关系，搭载自研主控芯片的UFS4.1产品正处在批量出货的前夜。

除了在传统存储形态上的精进，江波龙还展示了对未来存储形态的前瞻性思考。公司重点介绍了其创新型产品——mSSD。作为传统SSD的升级形态，mSSD通过Wafer级系统级封装（SiP），实现了极致的轻薄化和紧凑化。它在满足存储协议低功耗要求、大幅降低空间占用的同时，保持了与传统SSD相当的性能，并具备更优异的物理特性和综合成本优势。

江波龙认为，mSSD是一项重大的产品创新，其市场前景广阔。围绕该产品，公司已经构建了丰富的知识产权布局，并基于自身的先进封测实力，成功实现了技术从研发验证向实际商业落地的转化。

当前，AI驱动的存储需求爆发式增长与上游晶圆产能形成结构性供需矛盾。对此，江波龙展示了其深厚的供应链根基。公司表示，已与全球主要存储晶圆原厂建立了深层次、多角度的合作关系，并签署了长期供货协议（LTA）或商业合作备忘录（MOU），在存储晶圆供应方面具备坚实基础。

“公司依托主控芯片、固件算法、封装测试的全栈能力，以及和上下游的深度协同机制，在晶圆供应结构性偏紧的环境下，构建起了差异化的供应保障能力与成长潜力。” 江波龙强调，这种全栈能力与深度协同，是其应对市场波动、保障供应链安全的核心竞争力。

对于市场普遍关心的本轮存储周期持续性，江波龙引用了第三方机构的观点并表达了乐观态度。随着AI推理在系统架构与资源调度等方面的结构性变化，特别是键值缓存（KV Cache）与检索增强生成（RAG）技术的应用，AI推理对存储容量的需求显著扩大。叠加AI基础设施快速扩张与HDD供应短缺，共同推动了存储需求的爆发式增长。而在供给端，受制于产能建设周期的滞后性，存储原厂资本开支的回升对短期供应的增量贡献将较为有限。

2.北理工团队在三元铸态有机光伏电池研究中取得重要进展

近期，北京理工大学化学与化工学院安桥石团队在《Science Bulletin》上发表题为“Synergistic effect of two complementary acceptors assists high-efficiency as-cast organic solar cells”的研究论文。北京理工大学为唯一通讯单位，安桥石特别研究员为为本论文唯一通讯作者。

得益于新型非富勒烯受体与聚合物给体材料的设计与开发，单结有机光伏电池的光电转换效率已突破20%，初步满足其商业化生产的效率需求。然而，高效率器件普遍依赖于复杂的前/后处理工艺（如热溶液、热基底、热退火、溶剂熏蒸等），这些复杂的优化工艺难以兼容卷对卷印刷、狭缝涂布等低成本大面积制备技术，导致生产成本攀升与器件批次稳定性下降。其次，多步工艺叠加将加剧活性层结构-性能关系的复杂性，阻碍材料体系的迭代优化。因此，开发活性层无需任何处理工艺的铸态器件成为该领域突破产业化瓶颈的关键方向。

图1. 活性层材料的基本性质和分子间相互作用

基于此，该工作通过选用化学结构相似的两种小分子受体Y6和Y6-1O，与聚合物给体D18匹配制备铸态有机光伏电池。兼容性良好的两种小分子受体具有互补的带隙和能级，因此通过调控Y6和Y6-1O的掺杂比例，有助于优化三元器件的短路电流密度与开路电压的平衡。成膜动力学、活性层形貌和理论计算研究结果表明，Y6-1O具有更强的聚集性，且其与给体D18的结合能高于Y6与D18的值，这使得D18:Y6-1O二元体系具有更快的成膜过程。有趣的是，通过调控三元体系中Y6-1O的含量能够调节活性层成膜时间，可以有效地控制D18分子的聚集。最终构筑出有利于激子解离、电荷传输与收集的理想活性层形貌，从而显著降低了三元器件的能量损失并提升了填充因子。得益于这两种受体分子的协同作用，最终制备出效率为19.51%的三元铸态器件。

图2. 活性层成膜动力学过程

该研究系统阐释了分子间相互作用、成膜动力学、活性层形貌与器件性能之间的构效关系，为高效铸态有机光伏电池的开发提供了理论指导。

该成果得到了国家自然科学基金，北京市自然科学基金，北京理工大学科技创新计划等项目的资助以及北京理工大学分析测试中心的支持。

（来源： 北京理工大学）

3.郝跃代表：手握全球95%镓资源，中国芯片要打“优势牌”

今年全国两会，全国人大代表、中国科学院院士郝跃就集成电路产业发展带来相关建议。郝跃在接受《中国科学报》采访时表示，既要聚焦核心关键的“卡脖子”难题，破解半导体芯片发展中的底层技术瓶颈；更要重视那些我国已处于国际并跑甚至局部领跑位置的领域，通过强化优势，抢占全球产业的前排位置。

“‘十五五’将是我国集成电路产业从跟随转向引领的关键转折期，也是在一些新兴赛道上确立国际领先地位的重要窗口。”郝跃说。

在他看来，第三代半导体（氮化镓、碳化硅等）、第四代半导体（如氧化镓、金刚石、氮化铝等超宽禁带半导体）、光子芯片、低维半导体信息材料与器件等领域，目前我国已具备较好的国际竞争力，只要持续发力，极有可能在细分赛道上实现全球领跑。

郝跃（左四）及团队在实验室。受访者供图

如何把优势真正落地？郝跃认为，必须结合本土资源与产业基础，围绕后摩尔时代的产业趋势，发挥好我国的独特禀赋。

“我国掌握着全球95%以上的镓资源，且对镓、锗等半导体关键材料已实施出口管制，这是其他国家不具备的产业筹码。”他建议，依托这一稀有资源禀赋，推动化合物半导体、光电显示、新型传感器等产业形成规模化、高竞争力的全球布局。

在新兴存储器领域，郝跃也持相对乐观的判断。他表示，我国在Flash闪存、铁电存储器、磁电存储器（MRAM）、相变存储器（PCM）等方面已有不错的技术积累，在全球已有重要影响，只要持续推进技术迭代和产业化落地，就能牢牢把握主动权。

不过，郝跃也直言当前产业支持机制中还存在一定的短板。他指出，例如集成电路产业投资基金（大基金）的投资风格偏谨慎，资金更多流向较成熟期或临近上市的企业，属于“锦上添花”，而新兴领域支持不足。比如对第四代半导体、低维材料和新型存储器等领域可加大支持力度。他建议，针对那些我国已有技术优势的方向，加大投入、加速转化，“既要‘锦上添花’，更需要‘雪中送炭’”。

产业发展离不开人才支撑，尤其面向“十五五”及未来，培养符合产业需求的创新型人才是当务之急。郝跃表示，在国家相关部门对电子信息领域紧缺人才培养相关政策措施支持下，例如设立专门的人才培养指标，开辟更多培养渠道，优化集成电路、微电子等专业的培养机制等，集成电路的人才需求已经有了明显的改善。“进一步，大学应从科教融合、产教融合、国际合作等方面入手，注重培养学生的责任感、创新思维、批判性思维和团队协作能力，鼓励他们聚焦产业真问题开展研究，把实操能力和创新能力结合起来，最终培养出真正符合产业需求的复合型人才。”

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