1.特斯拉加速芯片自研布局 高薪“挖角”韩国半导体工程师；

2.分析称内存行业在Turbo Quant等新技术进步中展现出韧性；

3.AI驱动SiC新蓝海 中国力量重塑化合物半导体版图；

4.美国驻欧盟大使：停止处罚大型科技公司

1.特斯拉加速芯片自研布局 高薪“挖角”韩国半导体工程师

据外媒3月27日报道，在宣布Terafab超级芯片工厂计划后不久，特斯拉正加速推进其自研芯片战略，已开始面向韩国半导体产业招募资深工程师，目标直指2nm先进制程工艺。

报道称，特斯拉近日通过私人邮件与韩国多家半导体厂商的工程师取得联系，提出工作邀约，希望招募优秀芯片人才赴美工作。特斯拉开出的年薪约为3亿韩元（约合20万美元），并承诺提供住房补贴、子女教育支持等多项福利。

此举引发韩国产业界高度关注。在人工智能芯片竞争日趋激烈的背景下，已有业内人士呼吁三星电子和SK海力士等本土芯片巨头提前制定应对方案，以防止核心人才外流。

特斯拉CEO埃隆·马斯克正将芯片视为继电动汽车与航天业务之后的第三大战略押注。3月21日，特斯拉宣布将联合SpaceX在美国得克萨斯州奥斯汀建设半导体工厂“Terafab”，目标是每年生产相当于1太瓦（terawatt）功耗规模的AI半导体。据马斯克称，这一产能约为当前全球供应能力的50倍。

马斯克在公布该计划时表示：“要么自己建厂，要么就无法获得足够芯片。因为需要，所以必须自己生产。”当前，以英伟达产品为核心的AI芯片供不应求，OpenAI、谷歌及马斯克旗下的xAI均在激烈争夺产能。马斯克认为，台积电等现有代工企业的供应能力难以满足未来需求，自建芯片产能成为打破制约的关键一步。

2.分析称内存行业在Turbo Quant等新技术进步中展现出韧性

英伟达的 KVTC（键值缓存转换编码）和谷歌的 Turbo Quant 引起了人们的关注，并被认为是导致存储半导体股票大幅下跌的背景因素。然而，这些技术已经属于现有的研究趋势，这表明市场的担忧有些过头。

据报道，兴国证券研究员孙仁俊在 3 月 27 日的一份报告中解释称，KV 缓存压缩的核心目的是缓解大规模推理过程中出现的内存瓶颈以及由此导致的 AI 工作负载处理速度下降。

报告显示，英伟达的 KVTC 通过选择性地保留重要信息，可以实现大约 20 倍的压缩，而谷歌的 Turbo Quant 通过随机旋转和量化，可以实现大约 6 倍的压缩。

然而，孙仁俊指出，这些技术并非突然涌现的全新概念。KVTC 于去年 11 月公开发表，Turbo Quant 于去年 4 月公开发表，这两篇论文均已被下个月举行的 ICLR 2026 人工智能会议接收，因此正在重新审视。

特别是考虑到之前已经发表了大量类似的 KV 缓存压缩研究（包括 KVQuant 和 KIVI），因此将此问题解释为行业恶化的信号有些牵强。

孙仁俊认为，如果KVTC或Turbo Quant真的像现有技术那样具有压倒性的创新性，那么它们自去年以来很可能已经在人工智能行业引起了更广泛的关注。因此，他评估认为，这些技术在短期内得到广泛应用的可能性有限，人工智能性能的提升最终仍将沿着计算能力、数据和算法这三大既定方向发展。

他还补充说，值得注意的是，包括谷歌在内的超大规模数据中心运营商正在准备签订 3-5 年的长期供应合同，以解决内存供应短缺问题。

孙仁俊认为，近期存储器行业的调整主要源于市场注意力分散，而非技术变革本身。随着非存储器相关话题接连涌现——例如英伟达发布Groq3 LPX、特斯拉的Terafab计划以及Arm的服务器CPU战略——投资者的注意力暂时转移。Groq3 LPX是一款基于SRAM的加速器，引发了人们对HBM市场受到冲击的担忧；而Terafab和Arm的相关进展则分别被分析为提振了市场对高端晶圆代工和服务器CPU市场的预期。

即便如此，孙仁俊评估认为，在人工智能硬件领域，存储器目前盈利能力最高，估值却最低。加之长达五年的长期供应合同不断扩大，再次印证了存储器作为人工智能基础设施核心瓶颈的地位，他认为近期的股价暴跌是由供需动态和市场关注度转移驱动的暂时性调整，而非基本面受损。他预测，在持续的上涨周期、盈利预期上调和估值重估的支撑下，存储器板块的股价将继续保持上涨势头。

3.AI驱动SiC新蓝海 中国力量重塑化合物半导体版图

随着AI数据中心快速扩张，功率半导体需求持续增长。除传统应用外，碳化硅（SiC）正逐步渗透至电源供应单元、电池备份单元及新兴的固态变压器等领域。Yole Group最新市场数据显示，到2026年，AI相关SiC应用市场规模有望达到数亿美元，复合年增长率强劲。

尽管如此，AI相关应用规模仍小于汽车（尤其是电驱逆变器）、工业及能源等核心SiC市场。Yole预计，这些主力应用将推动全球SiC市场在2026年突破46亿美元。值得关注的是，整体市场前景较2024—2025年已明显回暖，此前头部器件厂商普遍受到全球汽车需求放缓的冲击。

从全球看，多家国际SiC器件厂商面临挑战。2025年，受需求不及预期及价格持续下跌影响，多家头部供应商增长乏力。中国市场则呈现出截然不同的态势，为本土SiC生态提供了良好的发展土壤。

以中国领先的SiC器件厂商芯联集成为例，该公司2025年实现约50%的同比增长，跻身全球前五（并列），市场份额约5%。这一成绩得益于多重战略布局：与多家本土汽车主机厂深度合作；2025年启动200mm SiC器件前端制造；持续加大功率模块封装后端产能投入。若聚焦SiC功率模块领域，芯联集成排名可升至全球第四，彰显其在模块端的强劲实力。此外，多家中国器件厂商也在加速扩产，为未来增长蓄力。

在SiC材料环节，中国厂商同样表现突出。过去数年间，中国SiC衬底供应商在产能与技术层面快速追赶，紧密对接客户向更大尺寸晶圆转型的需求。截至2026年，天科合达、天岳先进均已跻身全球SiC衬底供应商前三甲。其中，天科合达在200mm SiC衬底出货量上领先，助力国际头部厂商向200mm平台过渡；天岳先进则建成最大综合产能，以6英寸等效计算，总出货量居首。中国厂商的迅速崛起，正在重塑动态演变的SiC供应链格局。

SiC功率生态的演进，仅是化合物半导体行业整体转型的一个缩影。功率氮化镓（Power GaN）在汽车与数据中心领域的创新与增长持续加速；受光通信与数据通信需求驱动，磷化铟（InP）领域也在积极布局，该平台正向150mm衬底迈进。

4.美国驻欧盟大使：停止处罚大型科技公司

当地时间3月27日，美国驻欧盟大使安德鲁·普兹德在接受访时表示，如果欧盟想要参与人工智能经济，就需要放宽对美国大型科技公司的监管。

普兹德称，“如果欧盟想要参与人工智能经济……他们将需要数据中心、数据以及接触美国的人工智能硬件体系，你不能过度监管，频繁改变监管目标，并对公司处以巨额罚款。”

他补充道，“你知道，正是这些公司能为你带来数据、数据中心和美国的人工智能硬件体系。如果你将它们监管出欧洲大陆，你就不会成为人工智能经济的一部分。所以我认为，欧洲需要非常仔细地审视其对这些公司的做法。同时，这些公司也需要考虑在欧盟继续开展重要业务的前景。”

欧盟为其对美国科技公司的监管进行了辩护，欧盟竞争事务主管特蕾莎·里贝拉在2025年的一份声明中表示，“所有在欧盟运营的公司都必须遵守我们的法律，尊重欧洲价值观。”

今年2月，Meta公司被警告称，欧盟打算对该科技巨头采取行动，以扭转其WhatsApp的人工智能政策，此前该公司在去年4月被罚款2亿欧元（约合2.3亿美元）。同月，苹果公司被罚款5000万欧元，9月谷歌被罚款29.5亿欧元。

去年12月，埃隆·马斯克的社交媒体应用X被罚款1.2亿欧元。国务卿马尔科·卢比奥当时在X上发表帖子称，这一罚款是“外国政府对所有美国科技平台和美国人民的攻击”。

值得注意的是，3月26日，欧盟委员会宣布已启动正式程序，调查社交媒体平台Snapchat（由Snap公司所有）是否遵守《数字服务法案》（DSA），以保护儿童在线安全。