7月27日，万众瞩目的长鑫终于正式上市，中国DRAM的故事正式开启。

众所周知，DRAM前三是三星、SK海力士、美光。Omdia数据显示，按销售额计算2025 年全球DRAM市场三星电子、SK 海力士和美光科技市场份额分别为33.96%、34.48%和 23.41%，三家企业合计占据全球DRAM市场90%以上份额。除此之外，中国台湾地区南亚科技、华邦电子、力积电等也有一定份额。

DRAM行业、人才壁垒高，长鑫的突破并不容易。近年来，除了长鑫，中国厂商的进展也飞速，不断争夺话语权。

这些公司都在做DRAM

长鑫此次上市有哪些技术值得关注，又有哪些国内厂商也在布局DRAM？

长鑫：中国第一、全球第四

据Omdia数据，按照产能和出货量统计，长鑫已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，2025年第四季度，长鑫DRAM销售额对应的全球市场份额已提升至7.67%。

长鑫的业务包括DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案，可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。2024年底以来，自有DDR4产品已停止生产，目前DDR5 产品并完成量产，性能达到国际先进水平；LPDDR4X、LPDDR5/5X已经得到很广泛应用；DRAM模组包括RDIMM、MRDIMM、UDIMM/CUDIMM、SODIMM/CSODIMM、LPCAMM等。

招股书显示，公司高度重视自主技术研发和创新，在DRAM产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节构建了全面、完善的核心技术体系，主要核心技术已达到国际先进水平，并形成了丰富的自主知识产权。目前，公司已积累了广泛的优质客户资源，并与上下游合作伙伴共同构建了相互依存、共同发展的产业生态。

兆易创新：布局DDR3/DDR4/LPDDR4，LPDDR5研发中

兆易创新也是存储赛道的重要玩家，其产品包括NOR Flash、SLC NAND Flash、DRAM，所以这家公司一直非常备受关注。兆易创新作为一家Fabless公司，主要做利基型DRAM，产品覆盖DDR3L/DDR4/LPDDR4等，主要应用于网络通信、电视、机顶盒、智能家居、工业控制等领域。

年报显示，2025年，DDR4 8Gb产品市场推广进展顺利，收入持续增长；LPDDR4产品也开始实现营收贡献；2026年，将继续推进DDR4 8Gb在电视、工业、电力及AI相关应用领域的客户导入，加快LPDDR4产品量产，同时推进LPDDR5小容量产品研发。

值得注意的是，兆易创新控股子公司青耘科技也在持续推进定制化存储业务布局，已完成核心团队建设，并在AI手机、AIPC、机器人等新兴领域实现重点客户和项目突破。而在今年3月底，公司披露公告显示拟在2026年度向长鑫采购代工生产DRAM产品，预计全年交易金额将达57.11亿元。

东芯：布局DDR3(L)、LPDDR1/2/4X以及MCP

东芯也主要围绕利基型DRAM布局，覆盖标准型DRAM和低功耗DRAM两大系列，已实现 DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X、PSRAM等产品量产。其中，DDR3(L) 系列具备高带宽、低延迟特点，主要应用于通信设备、移动终端等领域；LPDDR1/2/4X系列面向移动互联网和物联网场景，兼具低功耗和高速传输能力，最高时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。

此外，东芯还提供MCP（多芯片封装）存储方案，将NAND Flash与DRAM集成于单一封装，实现存储与数据处理协同。具体来说，NAND MCP产品采用自主研发的低功耗1.8V SLC NAND Flash，并搭配LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X等DRAM产品，已通过紫光展锐、高通、联发科等主流平台认证，广泛应用于功能手机、MIFI、通信模块等领域。

紫光国芯：布局DDR、LPPDDR和3D DRAM

紫光国芯的前身西安华芯半导体，源自浪潮集团2009年收购奇梦达科技（西安）有限公司后的布局。奇梦达原为英飞凌存储器业务拆分而成立，是国内DRAM产业早期的重要技术来源之一。今年7月，紫光国芯递表北交所。

紫光国芯拥有完善的传统DRAM产品布局，构建DRAM全品类产品矩阵，包括DRAM晶圆、芯片和系统三大核心品类，产品包括SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR2、LPDDR4、LPDDR4x、PSRAM。此外，紫光国芯还自研了三维堆叠DRAM（SeDRAM），通过WoW晶圆级混合键合（Hybrid Bonding）与Mini-TSV互连技术，在去除传统 PHY-PHY 互连及中介层（Interposer）同时，通过金属层直连实现 DRAM 晶圆与逻辑晶圆的多层堆叠。

君正：推进20nm/18nm/16nm的DRAM和3D DRAM

君正的下属全资子公司ISSI在存储器领域耕耘三十多年，DRAM产品开发主要针对具有较高技术壁垒的专业级应用领域，产品包括DDR、DDR2、LPDDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4 等。

值得注意的是，君正报告中提及，基于20nm、18nm、16nm等工艺制程，公司持续推进 DRAM产品线相关技术与产品的研发，并持续进行了产品质量的提升和成本的优化，新制程的8Gb DDR4、8Gb LPDDR4、16Gb LPDDR4等产品陆续进入批量生产阶段，同时继续推进3D DRAM研发，包括算力SoC与存储接口相关BaseDie部分的研发。

福建晋华：困境求生，转折重生

福建晋华也是备受关注的一家国产DRAM厂商，但发展过程中受到专利纠纷和出口管制影响。2017年，美光起诉福建晋华及联电涉嫌侵犯存储芯片技术；随后，福建晋华被美国列入出口管制实体清单，美国司法部进一步提起商业机密相关诉讼，导致联电退出项目，产业化进程一度受阻。

2024年2月，美国旧金山地区法院裁定福建晋华不存在经济间谍行为，相关刑事指控均不成立。随着法律影响消除，福建晋华逐步恢复生产。目前，福建晋华已经在2025年首次实现稳定盈利，主要生产DRR4/LPDDR4/HBM，也在不断扩充晶圆产能，成为国产DRAM产业的重要力量。

昇维旭：正在崛起的新势力

市场上关于昇维旭的消息也非常多，也是崛起的新势力。

看明白DRAM

可能有些对于DRAM这个概念存在一定疑问，接下来EEWorld用最简单的人话来帮你复盘一下这项技术。

DRAM是RAM中的一种，RAM还有一种SRAM，“S”代表Static（静态），“D”代表Dynamic（动态）。由于底层结构差异，DRAM追求的是“更大容量、更低成本”，而SRAM追求的是“更快速度、更低延迟”。

从结构看，DRAM采用的“1T1C”（一个晶体管+一个电容）存储单元结构。每一个Bit Cell通过电容存储电荷状态，用“有电”和“无电”分别代表二进制中的1和0，而晶体管负责控制电容的数据读写。由于电容存在漏电问题，存储信息会随着时间推移逐渐衰减，因此DRAM需要周期性进行刷新操作，以重新补充电荷，保证数据不会丢失。这种需要动态维持数据状态的特性，也正是“动态随机存储器”名称的由来。

目前，DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存储器）是主流系统内存方案，采用电容存储数据，具备高集成度、低成本、较低延迟和低功耗等优势。根据应用场景，JEDEC制定了三类主要DDR存储标准：

标准DDR（DDR~DDR6）：服务器、PC、汽车等最常见的内存，优势在于成本可控、容量较高，并支持ECC纠错机制。DDR在时钟信号的上升沿和下降沿处理数据技术实现了比SDRAM更高带宽，DDR2和DDR3通过较高时钟频率达到更高数据带宽，DDR4新增了CRC、CA parity、DBI、温度补偿刷新TCSE/TCAR等功能降低了功耗增强了信号完整性，DDR5在DIMM上添加了PMIC、引入on-die ECC同时改善了通道架构、工作电压、内部结构，并从DDR5 6400时代开始正式引入时钟驱动芯片（CKD）架构。

移动DDR（LPDDR~LPDDR6）：注重低功耗与能效优化，主要应用于手机、AI边缘终端以及汽车ADAS系统等对功耗敏感的设备，相比标准DDR，LPDDR芯片通过减小存储器与CPU之间的导线电阻和通道宽度实现低功率的运行，其中LPDDR5x以8.5Gbps速度和0.6V低电压成为边缘AI理想选择。

图形DDR（GDDR~GDDR7,HBM~HBM5）：针GDDR以高带宽、低延迟、较低成本和大容量部署，成为AI计算中最平衡的解决方案，广泛应用于GPU加速卡等场景，最新GDDR7采用PAM3编码，相比NRZ，每两个周期可传输3位数据，能效显著提升，从而增强AI推理能力。HBM利用三维堆叠技术显著提升带宽与密度，通过2.5D/3D封装将多层DRAM堆叠于逻辑芯片之上，从而降低处理器到内存的互连延迟和寄生电容。

HBM结构非常精巧，在HBM的中介层中，DRAM与处理器相连接，而中介层则会与基板相连接，最后将基板焊接在PCB上。在这样的结构中，DRAM堆栈会使用多层堆栈的架构，从而提高内存带宽、容量和能效。在非常多的晶片堆栈中，其中一些内存晶片会与处理器直接相连，从而获得极快的传输速度；更重要的是，就拿HBM 3来说DRAM堆栈与SoC间就存在1024根线进行连接，上千条信号路径远远超出了标准PCB所能支持的范围，硅中介层则可类似集成电路，可以蚀刻出间距非常小的信号路径，从而实现所需数量的信号线来满足HBM接口的要求。

总的来说，三大主流DRAM正在满足不同需求：HBM满足数据中心高带宽需求，GDDR服务于GPU密集型AI推理，DDR/LPDDR则在更广泛的计算市场中扮演着核心角色。

分化的两个市场

从目前市场端来看，DRAM可分为主流DRAM和利基型DRAM两大类别：

主流DRAM：面向AI服务器、高端PC、旗舰移动终端等高性能场景，持续提升计算性能，技术发展围绕先进制程、架构优化和先进封装展开，重点提升速率、带宽和存储密度，主要产品包括8Gb以上DDR4及DDR5、HBM等新一代存储产品；

利基型DRAM：主要服务于汽车电子、工业控制、IoT 等细分市场，更关注稳定性、兼容性和长期供货能力，主要包括8Gb及以下DDR4、DDR3以及LPDDR4X等，技术路线侧重成熟制程优化、场景化定制和低功耗设计。

所以，市场也要从多个方面去看：

高端市场，HBM无疑是重点的核心，也是当下讨论最火热的领域，正从HBM3E向HBM4、HBM4E演进，重点提升带宽、堆叠层数和能效；DDR将向DDR5X、DDR6持续升级，预计DDR4将逐步退出主流市场；LPDDR6 标准已发布，将进一步提升AI终端和移动设备的性能与能效；

成熟利基市场，由性能竞争转向场景适配，工业领域更关注宽温、抗干扰和可靠性，车载领域强调长期生命周期和高可靠运行，物联网领域则聚焦低功耗、小容量存储需求，形成与高端市场互补的发展格局。

由此来看，国内许多厂商的立足点是利基市场，长鑫则不断冲击高端市场。当下，市场还非常关注WoW堆叠和2.5D封装技术，成为HBM高端DDR的关键，3D DRAM也是当下极为关注的技术。

当然，需要注意的是，虽然说是分化高端市场和利基市场，但实际上，两个技术难度都很高，并不是说利基市场就不难。

国产DRAM会是当前市场的救星吗？

我们都知道内存一直在缺货涨价，那么分化的两个市场未来会怎么发展？

首先，在高端市场方面，Rambus此前向EEWorld分析，一季度供应链问题，尤其是 OSAT（封测）环节扰动，目前已基本解决。但随着AI数据中心需求持续增长，供应链并未完全恢复宽松状态，而是进入结构性偏紧阶段。后端封测产能向东南亚转移，加上AI需求快速增长，使整体交付周期有所拉长。

其次，在利基市场方面，华邦电子向EEWorld分析，嵌入式利基市场方面，中低容量DRAM需求依然存在，且不会快速转向DDR5或LPDDR5。同时，传统存储大厂正转向生产HBM、LPDDR5等高容量产品，短期内难以回归中小容量市场。因此，对于嵌入式利基市场，今年乃至明年预计都将保持供应紧张的局面。

那么，问题来了，国内厂商是否改善当下状况？答案的是肯定的，国内厂商成为新的供应链变量。首先，在高端市场上，长鑫等国内厂商开始不断突破，其次，在利基市场，随着三大厂商逐步减少DDR3、DDR4等成熟产品投入，利基市场出现供应缺口，国内厂商迎来新机遇。