1. 华为首席科学家警告：英伟达等巨头即将面临芯片性能瓶颈

2. 机构：Q2长鑫科技营收暴增716%，位居全球DRAM市场第四

3. AI基建供应链1-7月全景复盘：十大赛道股价涨跌与产业逻辑解析

4. 内存短缺之际，惠普、华硕和宏碁开始采用长鑫存储芯片

5. 外媒称美拟禁止进口中国新型数据中心设备

6. 美国拟对中国多晶硅设定价格下限并加征关税

7.三星电子推出zHBM技术及V10 BV-NAND原型芯片，大幅提升存储密度

8.大基金三期这一年，投资逻辑彻底转向

1. 华为首席科学家警告：英伟达等巨头即将面临芯片性能瓶颈

华为首席半导体科学家廖恒在一次罕见的公开露面中警告称，包括英伟达在内的芯片巨头在追求更强大处理器的过程中，即将面临物理极限。

在7月下旬播出的长达四小时的采访中，廖恒阐述了他对芯片设计未来发展方向的看法，谈到了五年前美国制裁切断华为与全球芯片供应商联系时，华为所面临的一些困境，并赞扬了华为名为“τ定律”的创新方法。

廖恒指出，数十年来不断缩小芯片尺寸、提高芯片密度的做法即将走到尽头。英伟达是当今全球最重要的芯片公司，它正在制造尺寸越来越大的芯片，这些芯片包含数十亿个晶体管，并集成越来越多的高带宽内存。

廖恒表示：“随着计算芯片面积和高带宽内存（HBM）数量的不断增加，芯片的扩展能力必然存在极限。业界仍在努力突破，但一旦突破物理极限，就会出现雪崩式的局面。”

他的言论表明，他认同一种普遍的观点，即像台积电和英特尔等芯片代工厂最终可能会在进一步缩小芯片内部每个晶体管尺寸的过程中遇到瓶颈。台积电和英特尔，以及三星电子，都制定了长达数年的发展路线图，这得益于ASML提供的不可或缺的先进光刻设备。但华为无法使用这些系统，因此不得不另辟蹊径，寻找追赶的途径。

华为提出的τ定律旨在提升计算机系统各部件间的传输速度，因为芯片尺寸缩小带来的固有优势正逐渐消失。华为即将发布其首款基于τ定律设计的智能手机芯片，该芯片采用名为LogicFolding的技术。

在采访中，廖恒还用一个比喻来阐释整个人工智能价值链，将其比作一座十八层宝塔，比英伟达首席执行官黄仁勋的千层蛋糕模型更胜一筹。廖恒强调，中国各层级的参与者需要互相支持、携手合作，共同克服外部制裁，尤其是在芯片制造商和人工智能模型开发者之间。

随后，他盛赞了DeepSeek的创始人梁文锋，梁文锋的尖端模型“2025”展示了中国开发者如何以远低于美国同行的计算资源训练系统，引发了人工智能股票数十亿美元的抛售潮。

廖恒表示，DeepSeek的突破源于梁文锋及其团队在有限的计算资源下，寻求模型架构设计的创新。今年，随着多家中国公司发布性能卓越的模型，这一势头愈发强劲。

他将中国人工智能创新比作人们如何在狭小的公寓里最大限度地利用空间，而邻居和竞争对手却住在更宽敞的别墅里。华为自身也在开发人工智能芯片，以更好地支持以效率为导向的模型架构，廖恒称之为“协同设计机制”。

“我们必须在设计方面投入更多精力，以更高的复杂度换取更低的计算资源消耗，”廖恒说道。

2. 机构：Q2长鑫科技营收暴增716%，位居全球DRAM市场第四

根据Counterpoint Research发布的《2026年第二季度全球内存追踪报告》 ，长鑫科技第二季度营收同比暴增716%，以7%的市场份额在全球DRAM市场排名第四。

该机构指出，三星在2026年第二季度重夺DRAM市场霸主地位，市场份额扩大至39%，达到自2024年以来的最高水平。SK海力士的季度营收同比增长214%，但其市场份额却从2025年第二季度的39%跌至2026年第二季度的26%。三大内存供应商之一的美光科技也取得了强劲的季度业绩，市场份额达25%。2026年第二季度其他表现突出的公司包括长鑫科技（同比增长716%）和南亚（同比增长690%）。长鑫科技是全球增长最快的DRAM供应商，这主要得益于国内对传统DRAM的强劲需求以及产能的扩张。而南亚则受益于DDR/LPDDR4/5内存供需的双双提升。

Counterpoint Research研究副总裁Neil Shah表示：“2026年下半年值得关注的一点是，长鑫科技如何利用其近期IPO来提升HBM和LPDDR6的产能扩张前景。如果长鑫科技能够扩大产能，满足国内外市场需求，首先从PC和潜在的一级国际客户入手，那么一年后，这家供应商的市场份额将大幅增长，市场格局也将发生巨大变化。问题不在于长鑫科技如何跻身三大内存厂商之列，而在于何时。 ”

另外，该机构指出，2026年第二季度，传统DRAM价格环比上涨，而HBM价格同比下降。HBM平均价格的下降尤为显著，这主要是由于现有HBM3E产品的价格下调以及HBM4发布延迟所致。然而，随着传统DRAM价格的上涨，预计明年相对较低的HBM价格将大幅上涨。然而，随着英伟达Vera Rubin和AMD Instinct MI455X GPU机架式显卡的上市，HBM4的出货量在2026年第三季度开始增长。因此，随着产品组合的变化，HBM价格的下降幅度将会收窄。

3. AI基建供应链1-7月全景复盘：十大赛道股价涨跌与产业逻辑解析

半年多以来，全球各大云巨头投入的AI数据中心基建成为影响全球股市涨跌变化的核心因素之一。国内A股市场的科技股牛市中，多个赛道的股价飙升、深幅震荡，与此也有着莫大的关系。各赛道股价既经过了年初以来的高歌猛进，也经历了所谓的“黑色7月”，察看一下，1-7月以来AI基建供应链各赛道的核心企业股价变化情况，可以管窥各赛道在这一轮AI基建潮中的发展变化情况。

一、AI 算力芯片

AI 算力芯片是AI 数据中心的算力核心载体，直接受益于智算集群建设与国产替代浪潮，直接决定大模型训练与推理的能力上限，单机价值量占比超 40%，是 AI 基建投资的核心支出项。由于海外高端 AI 芯片供给受限，国内智算中心、政企算力采购将优先国产化，使得国内厂商拥有广阔的替代空间。尽管国际市场上对于AI基础开始出现不同声音，但国内AI数据中心对算力的需求仍然明确。

1-7 月6家样本企业3涨3跌，平均涨跌幅仅- 0.5%，是各赛道中分化最剧烈的板块之一。其中，海光信息+22.7%、寒武纪+18.7%、沐曦股份+13.7%三家上涨，但即便如此，它们的最大回撤也都在48%-60%之间，说明上涨过程并非单边，而是经历了剧烈震荡；景嘉微-28.9%、龙芯中科-21.3%，跌幅居前；板块整体没有出现光模块/存储那样的翻倍股，也没有出现像PCB那样的普涨格局。

板块走势反映出国产AI芯片从“主题炒作”进入“业绩验证”阶段。市场不再给所有国产算力芯片公司同样的估值溢价，而是根据产品落地进度、客户验证、订单能见度重新定价。能不能用、好不好用成为重要分水岭，景嘉微、龙芯中科更多偏信创/军工GPU或通用CPU，在AI训练/推理大算力场景的竞争力相对较弱，资金选择用脚投票。这说明 AI 算力芯片的投资逻辑已从“国产替代概念”收敛到“真正能在AI数据中心替代英伟达的标的”。

二、存储芯片

AI大模型训练与推理拉动HBM、DDR5、企业级SSD 等高端存储需求爆发，同时带动存储接口、封测配套环节增长。数据中心企业级存储采购占比突破65%，取代消费电子成为行业第一大需求来源。而据公开数据，单台AI服务器DRAM用量是传统服务器的8-10倍，SSD用量超3倍，HBM单颗GPU容量6年翻7 倍。从供给方面来看，由于HBM 等高端存储产能高度集中，扩产周期长达18-24 个月，也导致了目前存储 芯片的极度紧缺。

在本次统计期间6家样本企业5涨1跌，平均涨幅47.9%，但平均最大回撤也高达70%，是典型的“高收益、高波动”板块。普冉股份(+132.68%)领涨，但从909.8元高点最低跌至131.8元，最大回撤85.5% 同样为全样本之最。佰维存储(+82.41%)、兆易创新(+61.15%)涨幅可观，但最大回撤也分别达77%、74%；江波龙(+22.88%)、北京君正(+9.75%) 跟涨，东芯股份(-21.7%) 唯一下跌，主要因利基存储竞争激烈、AI 相关度低。

2024-2025年存储行业经历去库存，2026年进入涨价周期；同时AI服务器对HBM、DDR5、企业级SSD的需求爆发，NOR/EEPROM等利基存储也受益于端侧AI。但HBM/高端存储是本轮存储周期的核心，A股纯正标的稀缺（长鑫科技刚挂牌上市，未来纳入本次样本企业）。普冉股份、佰维存储等更多是NOR/模组/利基存储，并非HBM核心供应商，股价更多反映“存储涨价+AI概念”的情绪共振，因此涨时弹性极大、跌时回撤也很深。

三、光模块

AI万卡集群多卡并行对带宽需求指数级增长，光模块是算力网络的主要传输载体之一。光模块产品也从400G→800G→1.6T→3.2T快速迭代。目前800G 光模块仍为主流，1.6T进入商用。国内厂商中际旭创、新易盛等居于全球第一梯队，绑定英伟达、谷歌等海外云巨头。至于当前火热的硅光方案如CPO（共封装光学）也成为下一代主流技术方向，产业界的推进速度很快，预计2027-2028年有望开启规模化商用。

光模块是 9 家样本中表现最强的板块之一，8 涨 1 跌，平均涨幅 41.5%，上涨比例 88.9% 居首。其中，源杰科技 (+138.51%)、光迅科技 (+128.22%) 领涨，前者是光芯片龙头，1.6T/EML 芯片受益于AI数据中心800G/1.6T 光模块放量；后者是传统光模块厂商在数通高端市场突破；中际旭创(+44.90%)、新易盛(+30.26%)作为全球光模块龙头涨幅相对温和但确定性高，天孚通信+17.99%)、华工科技(+16.76%) 跟涨；剑桥科技(+0.39%)、博创科技(+1.22%)几乎平盘，太辰光(-4.50%) 微跌。 这三家在高端数通光模块的份额相对弱，说明板块内部也在向龙头集中。

800G/1.6T光模块是AI算力基建中业绩确定性最强的环节。海外云巨头如微软、Meta、谷歌、亚马逊等的CapEx直接转化为光模块订单，中际旭创、新易盛等龙头业绩能见度已到2026年下半年，这是板块普涨的基本面支撑。源杰科技弹性大于光模块整机，反映产业链利润向上游转移。源杰科技作为光芯片标的获得更高估值弹性。

四、液冷

随着AI 芯片功耗持续攀升，液冷正在成为高密度算力集群的标配方案，单颗高端GPU功耗已突破1000W，整机柜功耗可达数百kW，而传统风冷经济运行上限仅30kW。多地已将液冷列为新建算力园区的审批前置条件。液冷市场空间随高密度机柜渗透率提升快速扩容。液冷技术主要分为冷板式和浸没式两大路线，冷板式为当前商用主流，适配绝大多数 AI 集群；浸没式目前主要应用于超算、超高密度场景。

液冷赛道5家样本企业2涨3跌，平均涨幅- 5.6%。英维克(-41.71%) 作为液冷龙头，从93.5元跌至47.5元附近，曙光数创(-21.94%)、高澜股份(-21.06%)同步下跌。这三家是“纯正液冷”标的；申菱环境(+50.26%)是唯一大涨标的，但其业务更多元化（工业空调、数据中心温控），并非纯液冷；巨化股份(+6.32%)作为氟化液（液冷冷却液）上游材料商小幅上涨；板块平均最大回撤 49%，相对其他赛道反而较小。这是因为年初至今整体就是下跌趋势，没有经历“先暴涨再暴跌”的过程。

从行业走势看，液冷是AI数据中心的“后周期”环节，光模块、PCB在服务器出货时就同步放量，但液冷需要数据中心建设到一定阶段、服务器上架后才大规模部署，且风冷仍能满足部分中低功率场景。2026 年上半年液冷渗透率提升速度可能低于市场年初预期，导致预期下修。冷却液（巨化股份）表现好于液冷设备商，说明上游材料格局更好。

五、PCB

AI服务器与交换机对高多层、高速PCB需求大幅提升，传统服务器PCB仅10-20层，AI服务器普遍需要50-70层高多层板，高端背板可达78层以上，单机价值量是传统服务器的3-5倍。此外，PCB的基础材料也在同步升级，从M6向M8.5/M9级高速材料迭代，需要高频高速、低损耗产品。Prismark预计2025-2029年全球服务器PCB年复合增速达11%，是所有终端应用中增速最快的领域。此外，AI芯片先进封装也在带动封装基板的需求新增，如 FC-BGA封装基板。该领域长期被海外垄断，国产替代空间巨大。

PCB 板块6家样本企业5涨1跌，平均涨幅39.4%，上涨比例83.3%。东山精密(+102.55%)翻倍，其AI服务器PCB业务（高多层板、HDI）放量，同时苹果产业链回暖形成双击；鹏鼎控股(+60.28%)、生益科技(+45.81%)、沪电股份(+37.51%)、深南电路(+28.32%)全线上涨，覆盖了覆铜板、高多层板、封装基板等PCB产业链各环节；胜宏科技(-38.18%)唯一下跌，且最大回撤56%。胜宏科技前期因AI服务器PCB概念涨幅过大，1-7月处于估值消化阶段；板块平均最大回撤64%，但现价距高点已收窄至40%左右，说明7月反弹力度较强。

六、先进封装

先进封装是算力芯片性能突破的关键环节。随着摩尔定律放缓，AI 芯片性能提升从“制程微缩”转向“封装堆叠”，2.5D/3D 封装、Chiplet、HBM 集成成为算力升级的核心手段，单颗AI芯片封装价值量翻倍增长。目前全球先进封装产能紧缺，高端先进封装产能如CoWoS，集中在台积电，国内封测厂则承接了国产替代与海外溢出订单，业绩增长。随着国内先进封装产能持续扩张，硅中介层、TSV等工艺加速成熟，国产AI芯片成为行业核心增长动力。

先进封装6家样本企业全部上涨，平均涨幅54%。太极实业(+109.10%) 翻倍，其旗下海太半导体是SK海力士的封测合作伙伴，直接受益HBM/高端存储封装需求；甬矽电子(+69.87%)、盛合晶微 (+60.34%) 作为先进封装新锐，在2.5D/3D、Chiplet、Fan-out等高端封装产能布局获得市场认可；通富微电(+43.77%)、华天科技(+37.88%) 传统封测三强中的两家跟涨，通富微电因AMD MI系列GPU 封装合作逻辑更强；晶方科技(+2.87%) 涨幅最小，其主营CIS图像传感器封装，与AI算力关联度相对间接。

当摩尔定律放缓、单die尺寸接近光刻极限，Chiplet（小芯片）+2.5D/3D 先进封装成为延续算力提升的核心路径，国内封测厂的国产替代价值被重估。板块50%以上的上涨说明了先进封装是AI基建中“共识度最高”的方向之一。

七、AI 电源

AI服务器功率密度大幅提升，AI服务器单台电源功率从传统1-2kW提升至5-10kW，单机柜功率从10kW跃升至50-100kW，使得电源用量与规格同步升级，推动大功率CRPS 电源、800V高压架构、HVDC直流供电等方案快速渗透。从产业发展现状看，5500W以上高功率CRPS电源成为AI服务器的主流配置，麦格米特、欧陆通等国内厂商通过英伟达认证，进入全球核心供应链。液冷电源随液冷系统同步放量，高功率密度、高可靠性产品供需紧张，头部厂商订单排至2027年。UPS、精密配电市场同步增长，科华数据等龙头市占率持续提升，液冷一体化电源方案成为新的竞争焦点。

AI电源板块3涨3跌，平均涨幅仅0.95%，板块平均最大回撤52%，相对光模块/存储略小。其中，中国西电(+41.91%) 领涨，作为输配电设备龙头，受益AI数据中心高压配电/HVDC（高压直流）需求；麦格米特(+16.98%)、欧陆通(+7.64%)上涨，前者布局服务器电源、后者是服务器电源ODM，但欧陆通从403元高点回撤62%，波动剧烈；盛弘股份(-11.69%)、领益智造(-22.06%)、科华数据(-27.06%) 下跌。科华数据传统UPS 电源业务面临HVDC架构替代压力，领益智造AI电源占比尚低。

AI服务器功率密度飙升正驱动电源架构从12V向48V/HVDC变革。单机柜功率从传统的 5-10kW跃升至GB200的130kW+，传统ATX/12V电源效率不足，800V HVDC（高压直流）、48V DC-DC、CRPS（通用冗余电源）成为新方向。这是电源板块的核心产业逻辑。中国西电（高压配电 / HVDC）、麦格米特（数字电源/服务器电源新品）受益于新架构；而科华数据等传统UPS厂商面临架构替代风险，市场给予估值折价。这与AI算力芯片的分化逻辑类似。

八、玻璃基板

玻璃基板是CoPoS先进封装以及CPO的新载体，替代传统有机载板，提升互连密度与散热能力。在AI 芯片封装中，传统有机基板、硅中介层容易出现翘曲变形、热膨胀分层、高频损耗等问题，玻璃基板热膨胀系数与硅接近，高频损耗更低，布线密度更高，是下一代封装材料的有力竞争者。目前，玻璃基板处于产业化的初期阶段，成长空间十分广阔。

玻璃基板5家样本企业4涨1平，平均涨幅36%。沃格光电(+100.47%) 翻倍，是A股玻璃基板（TGV，玻璃通孔）最纯正标的，从188元高点最低跌至33.85元，最大回撤82%，是典型的“主题炒作→暴涨暴跌”走势；京东方A (+32.13%)、凯盛科技 (+24.21%)、彩虹股份 (+23.03%) 跟涨，这三家有玻璃基板/显示玻璃技术积累，但玻璃基板封装业务尚在早期；蓝思科技 (-0.03%) 基本平盘，其主营消费电子玻璃盖板，与半导体玻璃基板关联度较低。

玻璃基板尚处于产业早期，A 股纯正标的少、流通盘小，容易被资金当作 AI 封装的 "新故事" 炒作。一旦市场风险偏好下降，回调幅度也极大，这与当年的Chiplet、CoWoS主题炒作路径类似。

九、光纤

AI 数据中心集群内部互联、数据中心间骨干传输带宽需求暴增，单座超大规模智算中心光纤用量是传统数据中心的 5-10 倍。同时，高端特种光纤如G.654E 超低损耗光纤、多芯光纤、空芯光纤逐步商用，也带动了行业盈利的提升。有消息显示，高端特种光纤供需缺口达 46%，企业的扩产周期 为18-24 个月，使得紧缺局面将延续至 2027 年。

光纤板块5涨1跌，平均涨幅72.4%，平均最大回撤也高达75.8%，是波动最剧烈的板块。长飞光纤(+135.70%)、通鼎互联 (+131.89%) 领涨，受益于光纤光缆龙头+空天地一体化（卫星互联网用光纤/特种光纤）双逻辑；亨通光电(+94.09%)、中天科技(+58.09%) 受益海上风电+AI算力网络+海洋通信；永鼎股份(+20.5%) 跟涨，烽火通信主营为通信设备，光纤光缆占比较低。

光纤是强周期行业，2022-2024年经历了长期低迷，2026年的上涨既有AI带来的新增需求，也有周期触底反弹的因素。当7月市场整体调整时，周期股+主题股的回调幅度往往大于纯成长股，这是通鼎互联、长飞光纤回撤超80%的重要原因。

十、 MLCC

AI服务器电源滤波、HBM稳压、高速信号电路等场景都需大量使用MLCC，高容、高压MLCC 需求大幅提升。传统通用服务器的MLCC用量通常在2000到3000颗左右。而搭载高性能GPU的AI服务器，其单机用量通常在2.8万到3万颗之间，单机用量增长约10到15倍。全球高端市场仍由村田等日系厂商主导，国内风华高科、三环集团也突破技术壁垒，高容、高压AI MLCC均已批量用于国内自研AI服务器。

MLCC板块4涨2跌，平均涨幅71.8%。风华高科(+193.75%)作为国内MLCC龙头，受益消费电子复苏+ AI服务器高容MLCC国产替代；三环集团(+141.84%)是MLCC陶瓷介质龙头、国瓷材料(+114.67%)是MLCC陶瓷粉体上游，得益于产业链上下游共振。

MLCC是典型的“周期+成长”品种，行业经历了2022-2025年的去库存和价格下跌，2026年随消费电子复苏进入补库周期；同时叠加AI新需求，推动股价大幅上涨。但风华高科193% 的涨幅+ 80%的回撤，是周期股在景气拐点的典型走势。 周期底部的弹性最大，但筹码也最不稳定，股价往往在“景气验证→乐观预期→获利了结”之间大幅摆动。MLCC板块的走势是观察AI基建外溢效应的重要窗口，AI 不仅拉动算力芯片、光模块等“显性”环节，也在拉动MLCC、PCB等“被动元件/基础材料”。

4. 内存短缺之际，惠普、华硕和宏碁开始采用长鑫存储芯片

据报道，在人工智能基础设施需求引发的空前内存短缺之际，惠普、华硕和宏碁等主要PC厂商已开始少量采用中国大陆长鑫存储的芯片。

多名知情人士表示，许多主要PC厂商在今年年中前后完成了长鑫存储DRAM（动态随机存取存储器）芯片的认证流程，并已开始在笔记本电脑中少量采用。

知情人士称，目前长鑫存储芯片的使用量以及采用该芯片的笔记本电脑型号数量都非常有限，因为长鑫存储正将很大一部分产能优先供应给中国大陆客户。采用长鑫存储芯片的笔记本电脑型号在非美国市场销售。

两名知情人士表示，PC企业对使用长鑫存储芯片也采取克制态度，因为担心采取其他做法会引起全球主要内存芯片制造商美光、三星电子和SK海力士的不满。

一名直接了解相关情况的PC企业高管表示：“三大内存芯片制造商占据全球90%以上的市场份额。PC企业必须非常谨慎，并对使用长鑫存储芯片保持低调，毕竟现在是卖方市场。我们目前不敢从长鑫存储采购太多产品。”

自去年年底以来，PC和智能手机行业一直受到内存芯片与CPU短缺影响。此前报道称，惠普、戴尔、华硕和宏碁正在考虑使用长鑫存储的DRAM。

PC企业已优先保障高端机型的芯片供应，并将整体价格上调数百美元，以反映不断上涨的零部件成本。另一方面，有报道称小米、OPPO和vivo等智能手机企业因内存短缺，多次下调2026年出货量预测。

市场研究公司IDC预计，受空前内存短缺影响，全球PC行业今年将下滑超过11%，供应状况将在今年年底前进一步恶化。

5. 外媒称美拟禁止进口中国新型数据中心设备

据路透社8月4日报道，四名知情人士透露，美国政府正起草一项禁令，拟禁止进口中国新型号的数据中心组件，以保护支撑人工智能（AI）发展的关键基础设施。负责监管美国电信行业的联邦通信委员会（FCC）正在制定相关措施，计划禁止进口中国新型号的光收发模块——该组件主要用于数据中心内部的高速光纤数据传输。美国官员希望2026年内公布并实施禁令，理由是所谓中国企业可能会通过相关设备窃取数据、植入恶意软件或干扰数据中心运作。

不过，知情人士称，FCC仍可能修改或搁置有关限制。路透社分析认为，这是特朗普政府限制中国技术渗透美国尖端产业的最新举措，目的是在相关产品深度嵌入美国供应链之前加以遏制。特朗普政府内部的对华强硬派希望避免重演华为事件——华为电信设备早年已深度嵌入美国基础设施，即便后来遭严厉制裁，拆除工作仍进展缓慢、成本高昂。

对此，中国驻美国大使馆回应称，中方敦促美国“倾听两国工商界客观、理性的声音”，停止抹黑中国企业并以制裁相威胁。使馆还表示：“对于任何严重损害中方利益的行动，中国都将采取一切必要措施予以回应。”

若禁令落地，可能冲击全球主要光收发模块供应商中际旭创。Counterpoint Research的数据显示，中际旭创占全球数据中心光收发模块市场约27%，居行业领先地位。中际旭创约90%的营收来自中国境外。该公司已于今年6月被美国国防部列入所谓“中国军方支持企业”名单。

禁令也可能推高亚马逊云计算服务等美国云服务企业的成本，迫使它们转向美国本土供应商Coherent和Lumentum。然而，美国创新基金会的一份报告指出，Coherent和Lumentum虽拥有具竞争力的技术，但生产规模仍不足以取代中国供应商。此前，FCC已对中国制造的无人机、路由器、机器人和逆变器实施了类似限制措施。

6. 美国拟对中国多晶硅设定价格下限并加征关税

知情人士透露，美国政府正准备对多晶硅及其相关产品设定价格下限并加征关税，此举将这种对太阳能电池板和半导体至关重要的材料置于中美在人工智能和能源领域竞争的核心位置。

预计8月晚些时候将出台的这项决定旨在保护美国Hemlock Semiconductor和Wacker Chemie旗下的多晶硅工厂免受在芯片供应链中影响。

与此同时，美国商务部对多晶硅展开了长达一年的国家安全调查，这对美国蓬勃发展的太阳能制造业也产生了重大影响。而此时，美国总统已经削减了联邦政府对可再生能源的支持。

根据1962年《贸易扩展法》第232条展开的调查结果细节，其中包括美国政府计划推行一种混合体系，该体系将最低进口价格与对多晶硅及其衍生产品的关税相结合。

中国驻华盛顿大使馆批评了这项贸易调查。中方发言人表示：“中方敦促美方尽快停止实施232条款关税措施，并通过平等对话妥善解决各方关切。”

康宁、东洋、T1 Energy以及其他在美国上市的太阳能制造商（包括First Solar）的股价均出现上涨。

多晶硅是一种超纯硅，位于半导体和太阳能制造供应链的起始端。制造商将硅片加工成太阳能电池，然后组装成太阳能项目所需的面板。

国内的半导体制造业是当前美国政府的优先事项，而太阳能产业依赖于太阳能，因为太阳能行业对多晶硅的巨大需求有助于支撑芯片所需材料的生产。半导体行业协会表示，芯片行业占全球多晶硅需求的2.4%。

Hemlock表示：“如果没有多晶硅，价值链的后续环节（晶圆和芯片或晶圆和太阳能电池）将无法进行。”

消息人士称，美国商务部的这项计划将允许投资美国硅片和电池生产的进口商抵消与贸易保护相关的成本。中国约占全球太阳能制造产能的80%。

美国政府已完成对汽车、钢铁、铝、铜和木材的调查并加征关税。预计很快将公布对进口无人机和工业机器人的类似调查结果，这将为对这些商品加征关税铺平道路。

此外，美国政府还在继续对半导体、药品、关键矿产和风力涡轮机等备受关注的商品进行调查，以期重建其全球关税体系。

包括东洋半导体、Qcells、康宁、加拿大太阳能和T1 Energy在内的多家美国太阳能工厂已宣布或启动了位于太阳能供应链上游的工厂，部分原因是为满足与联邦清洁能源补贴相关的严格的“美国制造”要求。

美国太阳能制造商协会（Solar Energy Manufacturers for America）和美国两党议员在向美国商务部提交的意见书中指出，在国内多晶硅、硅片和电池产能扩大之前，仍需要从韩国OCI Holdings和在马来西亚、德国设有工厂的Wacker Chemie等非中国生产商进口产品。

Hemlock公司在密歇根州设有一家工厂，是康宁公司与日本信越半导体株式会社的合资企业。总部位于慕尼黑的Wacker Chemie在田纳西州也拥有一家工厂。

美国政府必须在支持国内生产商和推高芯片和太阳能电池板成本之间找到平衡点，这些产品在数据中心蓬勃发展的背景下需求旺盛。

代表太阳能开发商和半导体买家的行业组织警告政府，关税可能会提高太阳能发电厂的成本，并推高包括消费电子产品和汽车在内的产品的价格。甚至一些制造商也担心关税会对其产品需求产生影响。

7.三星电子推出zHBM技术及V10 BV-NAND原型芯片，大幅提升存储密度

三星电子发布了新一代人工智能存储技术，旨在巩固其在蓬勃发展的人工智能市场中的芯片制造领先地位。

这家全球最大的存储芯片制造商选择在加利福尼亚州圣克拉拉举行的今年的“未来存储”（FMS）大会上推出其V10 Bonding V-NAND（简称BV-NAND）原型芯片。该芯片拥有超过400层，并采用全新的晶圆键合架构，以提高存储密度和性能。

随着人工智能工作负载从训练大型语言模型扩展到生成用户查询答案，对高容量NAND闪存的需求也随之增长。NAND闪存用于存储智能手机等设备中的照片、视频和应用程序等数据。

该公司表示，其BV-NAND技术相比之前的V9 NAND，存储密度提升约58%，同时提高了读取、写入和输入/输出性能，以满足人工智能系统对更高容量和更节能存储日益增长的需求。

三星还展示了其所谓的业界首款zHBM和zNAND-O架构的概念模型，概述了其下一代3D内存的愿景，该内存通过垂直堆叠存储单元来存储更多数据。

与传统的高带宽内存HBM（通常放置在AI芯片旁边）不同，三星的zHBM将内存垂直堆叠在人工智能加速器上方，从而缩短数据传输距离，提高带宽并提升能效。

三星表示，其晶圆键合技术可实现比传统HBM5内存高10倍以上的存储密度，同时将能效提高三倍，并将热阻降低一半以上。

尽管一些投资者对中国智能手机需求疲软后内存芯片的长期需求表示担忧，但分析师指出，人工智能（AI）的需求异常强劲。

三星近期披露，与客户签订的长期协议最终可能占其内存销售额的60%~70%，这凸显了人工智能需求的强劲势头。

花旗分析师在一份报告中指出，尽管终端市场需求疲软引发担忧，但DRAM和NAND供应链的库存仍远低于历史水平。

8.大基金三期这一年，投资逻辑彻底转向

大基金三期成立至今，投资思路与一期、二期形成明显割裂。

一二期走的是广撒网路线，布局范围覆盖晶圆制造、各类芯片设计企业，重在铺开产业规模、补齐整体产能；三期极少直接入股上市公司，绝大多数投资动作，都隐藏在两大子基金体系之下落地。

两大核心运作平台分别为华芯鼎新、国投集新。

华芯鼎新主攻芯片设计 IP 与先进封装赛道；国投集新深耕半导体设备、光刻材料、高纯耗材等制造上游核心领域。

除此之外，三期单独设立国家人工智能产业投资基金，专门布局 AI 算力赛道初创企业。

三大平台权责清晰、赛道互不交叉，形成分工明确的投资布局体系。

复盘过去一年落地动作，华芯鼎新出手克制，真正保持高频投资节奏的是国投集新与 AI 专项基金。而国投集新的资金投向高度集中：先进封装、半导体上游材料与设备。 简言之，大基金三期大部分资金，全都注入了产业链冷门、变现周期漫长，但决定产业安全的硬核环节。

华芯鼎新：仅两笔投资，深耕平台化整合

作为三期布局芯片 IP 与先进封装的载体，华芯鼎新全年仅有两次公开投资，风格十分保守。

其一为天遂芯愿科技，今年 2 月完成工商变更，华芯鼎新出资 3 亿元，持股 31.58%。该企业核心资产承接逐点半导体车载视觉 ISP 与显示处理 IP，由芯原股份控股。华芯鼎新此番布局，投资的并非单一初创芯片公司，而是车载芯片 IP 整合平台。

其二是安徽聚合微电子，今年 1 月完成入股，持股比例 18%。企业落地合肥，主营 Chiplet 封装基板、异构集成系统封装，也是国内为数不多能够推进 Chiplet 规模化量产的第三方封装平台。

两笔投资拥有一致逻辑：不去孵化某一款芯片产品，而是打造能够收拢行业资源的整合载体。华芯鼎新的核心目的，依托国家级资本，收拢国内分散碎片化的 IP 资产、零散的先进封装产能，解决行业分散发展的弊病。

但产业整合本身周期漫长、短期难以兑现收益，这也是华芯鼎新仅在年初完成两笔布局，后续再无新增公开投资的根本原因。

国投集新：横扫上游卡脖子环节，攻坚设备与材料

和国投鼎新缓慢的投资节奏不同，国投集新是三期投资的主力。自去年年末至 2026 年 7 月持续密集出手，键合设备、光刻掩膜基板、高端封装载板、高纯石英耗材、超导半导体新材料，完整覆盖晶圆制造、先进封装上游所有关键瓶颈环节。

一季度率先增资拓荆键科，投入资金 4.5 亿元。拓荆键科由 A 股 PECVD 龙头拓荆科技拆分独立设立，专攻 HBM 三维混合键合设备、芯片堆叠封装设备。将键合业务独立拆分，能够集中资源攻坚 HBM 先进封装这一行业核心难点。

3 月，国投集新接连完成三笔布局：

入股南通晶体材料，布局光刻掩膜基板、高纯石英基板，补齐光刻上游基础材料短板，破解基板长期依赖进口的困境； 增资安捷利美维国内封装载板业务，发力 FC-BGA 高端 IC 封装载板。FC-BGA 是高端 GPU、HBM 芯片必备基材，长期被海外厂商垄断，同样是当前 Chiplet 产业化落地最大的材料瓶颈；

5 月加码长飞石英科技，布局半导体高纯石英部件、刻蚀腔体石英配件、晶圆石英坩埚，补齐刻蚀、薄膜沉积全制程所需核心耗材。

7 月再度落子沈阳正芯半导体，完成工商变更后持股 9.76%。企业主营超导半导体材料与半导体设备精密结构零部件，产业链对接富创精密、浙江镨芯等设备零部件厂商，这也是大基金三期首次布局超导半导体赛道，具备明显前瞻布局属性。

2026 年 3 月至 7 月，国投集新基本维持两月一投的节奏，所有标的全部瞄准制造上游设备、材料赛道。这类细分领域有着共同特征：整体市场体量不大，却是产业链运转不可或缺的必需品；技术壁垒极高，国产化率长期处于低位；任意一环遭遇断供，整条半导体产业链都会面临停摆风险。

对比一二期大举新建晶圆厂、扩充产能的发展思路，三期彻底放弃规模扩张模式，转向定点查漏补缺：哪个环节国产化率最低、供应链安全风险最高，资金就定向投向哪里。

AI 专项基金：三条赛道分批布局，分散算力技术风险

大基金三期旗下的国家人工智能产业投资基金，核心使命是打通半导体产业与 AI 算力产业链协同通道，过去一年共计落地三笔投资，三条技术路线各司其职，规避单一技术迭代带来的风险。

5 月同步完成两项投资：

上海云脉芯联，主营 AI 集群高速互联芯片、算力网络交换芯片。算力集群规模持续扩大后，芯片之间的互联带宽、传输延迟会成为制约算力释放的核心瓶颈，布局该企业，意在补齐国产算力集群互联层面的短板；

清微智能，主打存算一体算力芯片、端侧大模型专用芯片，走出区别于通用 GPU 的差异化算力路线，主攻边缘 AI、本地端大模型落地场景。

7 月落地第三笔投资北京艾捷科芯。该企业由清华团队创办，聚焦通用 AI 大算力芯片、生成式 AI 计算芯片研发，第一大股东为昆仑万维，长鑫科技同步追加投资。这笔投资搭建起完整产业闭环：昆仑万维提供 AI 应用场景，长鑫科技配套存储产能，艾捷科芯负责算力芯片研发，实现产业链深度协同。

三笔投资分工明确：云脉芯联筑牢算力集群底座，清微智能布局端侧差异化算力，艾捷科芯攻坚通用大算力赛道。既没有 all in 通用 GPU 路线，也没有放弃端侧算力的发展可能性。

存量项目隐秘布局

除去新增投资项目，三期部分早期持仓企业，2026 年均没有追加投资，进入产能爬坡与商业化落地的静默周期。

分别是中芯南方、杭州众硅、奕斯伟计算。中芯南方为中芯国际旗下先进制程晶圆厂，属于三期早期布局的成熟产能资产；杭州众硅主营 CMP 设备，后续交由中微公司收购整合；奕斯伟计算深耕 RISC-V 架构通用芯片设计。三家企业现阶段以释放产能、推进商业化为主，不再接受新增资本注入。

同时还有两类布局并未公示工商信息：

其一，光刻胶单体、电子特气、EDA 工具、半导体精密微型零部件等高敏感赛道，出于产业安全与技术保密要求，并未对外公示投资信息，大多以小额早期投资形式，预埋产业链细小卡点；

其二，DeepSeek 等头部 AI 企业，截至 8 月 4 日依旧处在融资洽谈阶段，尚未完成股权交割，暂不计入正式参股名单。

大基金投资逻辑彻底转向

梳理全年布局，大基金三期完整的投资布局逻辑已然清晰。

第一条，华芯鼎新主导的先进封装 + IP 整合线路，投资节奏最慢。核心目标解决国内 IP 碎片化、先进封装产能分散的行业痛点，但平台整合耗时漫长，很难出现密集投资动作。

第二条，国投集新主导的半导体上游设备、材料、耗材线路，也是全年出手最频繁、资金投入最多的板块。顺着产业链逐层突破键合设备、光刻基板、封装载板、石英耗材、超导材料等制造环节卡脖子领域。

第三条，AI 算力专项基金负责的算力赛道布局，兼顾云端通用大算力、端侧存算一体两大方向，依靠三条不同技术路线分散迭代风险。

三条主线拥有同一个显著特征：完全不再投资成熟量产晶圆制造工厂。三期资金彻底告别建厂扩产的旧模式，全部下沉至设备、材料这类产业链底层冷门环节。

一二期需要解决的核心矛盾，是国内有没有芯片产能，解决方案就是建厂扩产；三期亟待化解的问题，是半导体供应链是否安全，唯一解法便是攻坚上游薄弱环节。

上游设备、材料细分赛道普遍市场狭小，单笔投资规模远不及晶圆建厂，但战略价值极高，任一细分环节被卡脖子，整条产业链都会停滞。大基金三期过去一年的布局，本质就是依托国家级资本，逐个填补这些 “小众市场、致命卡点”。

后续产业走势，重点观察三条赛道即可：FC-BGA 封装基板量产进度、HBM 键合设备国产化突破进程、国产通用算力芯片商业化落地速度，三大方向的突破效率，将直接决定大基金三期本轮投资成效。

从投资节奏来看，2026 年上半年整体以稳健蛰伏为主，7 月开始明显提速，接连落地超导半导体材料、通用大算力芯片两大重磅项目。倘若提速节奏延续，2026 下半年至 2027 年，更多前沿赛道的隐秘布局将会陆续浮出水面。

可以确定的是，大基金三期不会复刻一期大范围撒网的投资模式。未来资金投放只会愈发精准、布局更加隐蔽，不少关乎产业链命脉的核心布局，或许永远不会出现在工商变更公示名单之中。