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8月7日，SK海力士发布声明称，计划斥资54万亿韩元扩建其位于韩国的芯片厂。
该公司在声明中表示，为应对“人工智能时代对存储芯片不断增长的需求”，其正在韩国龙仁（Yongin）和清州（Cheongju）建设新的芯片工厂。
市场研究公司Omdia预测，从去年到2030年，DRAM和NAND 的需求都将保持19%的复合年增长率 (CAGR)。该公司认为，这种增长并非暂时的超级周期，而是一次结构性转型，存储器将超越其作为简单组件的角色，成为决定人工智能性能的核心基础设施。
SK海力士指出，在AI时代，仅凭技术竞争力已不足以保持优势；能否在客户所需时间点交付足量产品，才是真正的竞争力。此次投资决定是基于对市场需求进行充分评估后作出的。
该公司表示，龙仁Y2是公司在龙仁半导体集群内依次建设的四座晶圆厂中的第二座，总建筑面积约34.1万坪（约113万平方米），将作为DRAM生产基地投入运营。项目计划明年7月开工，2029年6月启用首个无尘室，主要生产HBM等新一代DRAM产品。目前，Y1晶圆厂建设进展顺利，预计明年2月启用首个无尘室。
随着AI服务加速普及，NAND闪存需求正以企业级固态硬盘（eSSD）为核心快速增长。同时，AI推理过程中的KV缓存需求进一步增加，叠加代理式（Agentic）与物理（Physical）AI应用逐步落地，NAND闪存的应用场景有望进一步拓展。
SK海力士称，公司之所以选择在清州建设新的NAND闪存生产基地，是因为能够加快新晶圆厂的建设。清州园区已建成M11、M12、M15 NAND闪存生产设施，新建晶圆厂可与现有产线协同增效；同时厂址、电力及用水等基础设施也已基本就绪。清州M17晶圆厂总建筑面积约20.6万坪（约68万平方米），计划明年2月开工，2028年12月启用首个无尘室。投资期将持续至2031年4月，并将根据业务进度分阶段实施。
