1.计划投资数十万亿韩元赴日设存储生产基地？SK海力士：尚未决定；

2.一周概念股：巨头收缩与产能扩张并行 涨价潮与融资热共振；

3.东芯股份：营收同比高增336.44%，“存、算、联”一体化布局稳步推进；

4.民德电子：子公司广芯微电子晶圆代工采用包工包料模式

1.计划投资数十万亿韩元赴日设存储生产基地？SK海力士：尚未决定

8月21日，据韩媒报道，SK海力士正积极筹划一项重大海外扩张计划——拟在日本东北部宫城县建设一座存储芯片生产基地，投资规模预计达数十万亿韩元。若最终落地，这将是韩国半导体企业在日本设立大规模本地生产设施的首个案例，具有标志性意义。

据悉，SK集团会长崔泰源近期已亲赴该地区实地考察。宫城县目前与九州、北海道并列为日本政府重点扶持的半导体产业三大核心基地，在政策与基础设施配套方面享有优先支持。分析指出，日本正全力重振本国半导体产业链，吸引海外龙头设厂是其关键策略之一。

从投资体量来看，宫城项目的数十万亿韩元规模，相较于SK海力士在韩国龙仁和清州总计约54万亿韩元的新厂投资（龙仁Y2 DRAM工厂35.2万亿、清州M17 NAND工厂19.1万亿）及龙仁产业集群数百万亿韩元的长期规划，属于相对小型的产能布点。业内人士认为，在全球存储芯片供需持续紧绷的背景下，此举意在通过海外前瞻性布局提前卡位，为中长期产能安全增添保障。

若计划顺利推进，SK海力士将成为继美光、台积电之后，第三家在日本设立芯片制造工厂的海外半导体巨头。值得对比的是，其韩国竞争对手三星电子目前仅在日本横滨设有一处面向下一代封装的研发中心，尚未跨入制造环节。

对于上述报道，SK海力士方面回应称：“任何具备必要基础设施的地点都可能纳入评估范围，但关于在日本建厂以及具体选址，尚未做出任何决定。”态度虽未明确，但也未否认，留有充分想象空间。

值得注意的是，SK海力士近期资本动作频繁密集。就在8月19日，公司刚批准了一项高达40万亿韩元的股份回购注销计划，创下韩国资本市场历史之最。叠加此前已官宣的龙仁、清州新厂投资，以及此次传出日本建厂意向，显示这家存储巨头正以前所未有的力度加码产能扩张与股东回报并举的战略路径。

2.一周概念股：巨头收缩与产能扩张并行 涨价潮与融资热共振

2026年以来，行业呈现出极为割裂的两幅图景：一面是头部企业密集裁员、战略收缩，另一面是半导体产能加速释放、硬科技融资持续升温，与此同时，存储芯片等核心元器件价格暴涨，产业链成本压力传导至消费终端。裁员、扩产、涨价——三个看似矛盾的关键词，正在同一时空交织上演。

裁员与撤退：当巨头开始“做减法”

本月初，苹果公司裁撤了整个VR开发团队，至少60名相关岗位员工受波及。这一动作与新任CEO搁置VR产品线的战略调整直接相关，标志着苹果在Vision Pro市场表现不及预期后，正在果断“断臂止损”。

几乎同时，诺基亚宣布计划在年底前大幅缩减中国大陆地区员工规模，并分阶段关闭分支机构。此前已传出拟关闭杭州研发中心、裁员1600人的消息。这标志着这家入华四十余年的通信巨头，在本土厂商的激烈竞争之下，正式开启大规模战略撤退。

国内企业同样在调整中寻求转型。360集团推进All in Agent战略转型，创始人周鸿祎发布全员信，明确干部需推动AI相关业务创新，组织架构将向AI原生方向调整。吉利汽车则启动管理层优化，李书福辞任董事会主席，完善职业经理人授权机制以适配海外业务的高速扩张。

一边是收缩，一边是转型。科技巨头们不约而同地将资源向核心业务集中，前沿技术赛道的人才争夺与传统业务线的裁员优化同步推进。

产能竞赛：半导体扩产热度不减

与裁员潮形成鲜明对比的是，半导体领域的产能扩张正在提速。

封测环节尤为活跃。甬矽电子上半年营收同比增长24.12%，先进封装产能持续爬坡；长电科技上半年净利润大增79.41%，并拟投资78亿元建设上海临港高端先进封测工厂。朗迅科技总投资100亿元的高端先进芯片测试基地（一期）主体结构已结顶。颀中科技尽管受苏州厂区火灾影响上半年亏损3.03亿元，但Q2已全面复产，Q3产能有望满载。

设备与材料环节同样动作频频。中科飞测华中研发生产基地落户光谷，聚焦晶圆缺陷检测设备；井芯微电子两款RapidIO 3.2芯片成功回片点亮，实现国产RapidIO Gen3交换方案突破；沪硅产业300mm硅片销量增长超90%，拉动营收增长36.51%。

产能扩张直接反映在业绩上。拓荆科技上半年净利润大增1324.10%，先进制程产品实现规模化量产；鼎泰高科受益于AI算力扩容带来的PCB刀具需求爆发，全球市场份额达29.2%居首，上半年营收增长114.85%、净利润增长325.12%。

涨价潮：从存储芯片到显卡全面升温

供需失衡正在推升多个环节的产品价格，存储芯片成为涨价的“风暴眼”。

摩根士丹利发出警告：因厂商产能向HBM、DDR5、高层数NAND闪存转移，传统DDR4内存预计2026年第三季度价格将暴涨50%。全球NAND Flash市场同样供不应求，AI服务器企业级SSD需求旺盛，原厂大幅调涨ASP，2026年第二季度全球前五大厂商合计营收环比增长77%。行业预计本轮存储涨价或将持续至2028年。

上游材料亦在跟涨。光通讯需求爆发带动磷化铟基板与外延供不应求，第四季度酝酿涨价10%以上，创下史上最大涨幅。晶圆代工环节，三星电子因AI芯片需求推升先进制程产能趋紧，已上调部分先进制程新订单价格，最高涨幅达15%。

涨价传导至消费终端。RTX 5090、RTX 5080价格持续走高，AMD宣布RX 9000系列售价上调10%-15%，核心驱动因素是GDDR7显存成本上涨。日本市场受内存短缺及日元贬值影响，新机价格抬升，7月苹果官宣提价后，当地翻新iPhone销量同比增长140%。

资本涌动：硬科技融资与IPO热潮

尽管行业整体处于调整期，硬科技赛道的资本热情丝毫未减。

国内方面，吉姆西半导体正式启动A股IPO辅导；长江存储辅导状态变更为“辅导验收”，上市进程进一步提速。机器人赛道尤为活跃，本末动力、辰星技术先后向港交所递交上市申请，逐际动力以保密形式提交IPO申请，拟募资最高3亿美元。

海外市场同样火热。AI芯片创企Fractile拟以65亿美元投前估值融资6亿美元，已拿下Anthropic 2.5亿美元订单；AI推理芯片公司Etched完成7亿美元D轮融资，估值升至210亿美元；低功耗AI芯片公司Velaura AI完成1.1亿美元A轮融资，估值超10亿美元。

资本正在用真金白银为硬科技的未来投票。

结语

2026年的全球科技产业，呈现出罕见的“撕裂感”：裁员与扩产并存，收缩与扩张同行，涨价与融资共振。这并非周期性的简单波动，而是产业结构性重塑的必然阵痛——AI算力驱动的增长极正在形成，落后的产品线与业务模式被加速出清，资源向高壁垒、高增长的前沿领域高度集中。在这一轮“冰与火”的淬炼中，谁能把握技术迭代的方向、谁能在产能竞赛中占得先机，谁就将率先穿越周期，抵达下一个增长节点。

3.东芯股份：营收同比高增336.44%，“存、算、联”一体化布局稳步推进

8月21日晚间，东芯股份发布了2026年半年度报告。2026年上半年，公司实现营业收入14.97亿元，同比增长高达336.44%；归母净利润为6.59亿元，同比实现大幅扭亏为盈。受益于全球AI算力需求爆发，海外存储原厂加速退出利基型市场，供给端收缩，利基型存储芯片迎来供不应求的市场格局。在此背景下，东芯股份持续强化研发投入，深化“存、算、联”一体化发展战略，同时前瞻性布局GPU算力与Wi-Fi7通信芯片，有力推动我国存储产业发展，并助力构建多元化技术生态的形成。

利基存储供需趋紧，东芯股份营收稳步增长

2025年以来，全球存储芯片行业迎来强劲复苏。AI算力军备竞赛愈演愈烈，国内外头部科技厂商大幅增加资本支出加码AI投入，直接拉动了存储芯片的需求。国际巨头自2025年起逐步将产能从DDR4转向DDR5、LPDDR5及HBM高带宽内存，导致DDR4供应缺口扩大，中小容量利基型存储芯片供给持续收紧。

根据Yole预测，全球存储芯片市场规模有望在2027年达到2630亿美元。利基型存储芯片作为不同于大宗存储的细分赛道，涵盖SLC NAND Flash、NOR Flash、利基型DRAM等产品，广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等领域，其供需格局与大宗存储既有联动又有差异。当前，随着海外厂商战略退出和下游需求回暖，利基型存储同样出现供不应求的局面，市场价格持续回升。

在此行业背景下，东芯股份2026年上半年实现营业收入14.97亿元，同比增长高达336.44%。公司毛利率达到67.66%，相比去年同期增长高达48.90个百分点，反映了产品结构优化和价格回升的积极影响。从利润端来看，公司利润总额7.51亿元，同比增加8.80亿元；归母净利润6.59亿元，同比增加7.70亿元；扣非净利润6.36亿元，同比增加7.63亿元；均实现扭亏为盈。

全产品线协同发力，多领域应用深度拓展

东芯股份主营业务围绕利基型存储芯片设计领域，主要产品涵盖非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP，形成了较为完整的存储芯片产品矩阵，是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司。

在NAND Flash领域，公司聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，制程工艺持续演进至1xnm先进水平。产品存储容量覆盖512Mb至16Gb，支持SPI或PPI类型接口，并可选配3.3V/1.8V电压规格，能够灵活满足不同应用领域的差异化需求。公司SPI NAND Flash采用业内领先的单芯片集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块高度集成，有效缩减芯片面积、降低产品成本，并通过合理的冗余管理策略提升了产品可靠性。在可靠性方面公司产品单颗芯片可擦写次数超过10万次，并能在-40℃～125℃的极端环境下保持数据有效性长达10年。产品可靠性已全面覆盖工业级与车规级标准。

在NOR Flash领域，公司专注大容量、低功耗SPI NOR Flash的设计与研发，采用成熟的ETOX工艺架构。产品存储容量覆盖64Mb至 2Gb，支持多种数据传输模式，广泛应用于网络通信、消费电子及汽车电子等领域。在性能与成本控制方面，公司产品时钟频率可高达166Mhz，支持DTR访问模式，配合优化的裸片面积，在数据访问速率、功耗及成本效益上具备了较强的竞争力。此外，ECC、CRC及高级扇区保护模式，有效提升了数据可靠性与访问安全性。目前，公司NOR Flash产品可靠性已全面覆盖工业级与车规级标准。

在DRAM领域，公司布局了利基型DRAM产品，涵盖标准型与低功耗型两大系列。其中，公司研发的DDR3(L)系列支持双倍数据速率传输，具备高带宽、低延时特性，广泛应用于通讯设备、移动终端等领域；针对移动互联网及物联网的低功耗需求，公司自主研发的 LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最高时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等领域。

在MCP领域，公司的NAND MCP产品集成了自主研发的低功耗SLC NAND Flash与低功耗DRAM，广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等终端产品。MCP产品规格丰富，DRAM类型涵盖LPDDR1/2/4X，可为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP产品通过集成技术，有效简化了系统走线设计，显著节省 PCB 布板空间，在提升产品稳定性与集成度的同时，降低了整体系统成本，特别适用于对空间要求严苛的小型化电子设备。

从应用领域来看，东芯股份产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等领域。在车规级存储领域，公司SLC NAND Flash、NOR Flash及MCP三大品类的车规产品阵容持续扩充，更多型号顺利通过AEC-Q100验证。报告期内，公司持续在多款车型中进行车规产品的量产交付，并进一步推进整车厂的白名单导入，加速推进更多海内外Tier1厂商的导入与销售落地。相关产品已成功应用于通信及远程控制系统、激光雷达、机器视觉、电池BMS系统及智慧座舱等汽车电子核心系统。数据显示，2028年全球汽车存储芯片市场规模将达到102.5亿美元，随着汽车电子化、智能化和网联化的进一步推动，存储芯片在汽车中的应用场景将更加广泛。

深耕存储技术研发，“存、算、联”一体化布局渐入佳境

产品与市场应用高成长的基础是东芯股份始终坚持的高技术研发投入，2026年上半年研发投入达到1.38 亿元，占当期营业收入的 9.21%，研发费用总额相比上年同期增长30.81%。持续高强度的研发投入为技术领先与产品升级提供了坚实保障。

在存储技术布局方面，东芯股份持续推进各产品线的技术迭代。NAND Flash领域，产品制程覆盖3xnm-2xnm-1xnm，产品容量覆盖512Mb-16Gb，内置ECC模块，具备10万次擦写寿命及高耐久、宽温稳定运行特性。在NOR Flash领域，公司持续推进48nm、55nm制程下64Mb～2Gb中高容量的NOR Flash产品的研发，产品广泛覆盖可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子、端侧AI等应用领域。在DRAM 领域，公司已实现DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X、PSRAM等产品的量产，并持续进行LPDDR4X、DDR4等新产品研发布局。在MCP领域，公司目前已可提供4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb等多种组合的MCP产品，主要应用于5G通讯模块、车载模块等领域。截至2026年上半年，公司拥有境内外有效专利123项、软件著作权18项、集成电路布图设计权84项、注册商标18项，构建了较为完善的知识产权体系。

更为关键的是，东芯股份深化“存、算、联”一体化发展体系，前瞻性布局算力与通信领域。在“存”的方面，公司以NAND Flash、NOR Flash、DRAM及MCP四大产品线为核心，覆盖非易失性和易失性存储芯片全品类，为客户提供一站式存储解决方案。在“算”的方面，公司于2024年以自有资金2亿元战略投资砺算科技（上海）有限公司，2025年追加投资约2.11亿元，目前持有砺算科技35.87%的股权。砺算科技专注于多层次图形渲染GPU芯片的研发设计。继首款自研GPU芯片G100完成流片、制造及封装并推出专业级与消费级显卡后，今年上半年，砺算科技重点围绕产品生态完善、量产工艺优化及市场化导入开展工作。在“联”的方面，公司通过控股子公司亿芯通感持续推进Wi-Fi7无线通信芯片的研发设计。报告期内，公司在前期完成原型机样片测试的基础上，持续深化首款无线传输芯片的架构优化与系统级方案打磨。目前主要核心模块已完成实验室验证，测试结果符合预期，核心性能指标已满足Wi-Fi7 标准要求。公司正全力推进系统级验证与流片进程，并同步筹备后续的客户送样与导入工作。

在人才队伍建设方面，东芯股份高度重视梯队化人才培养。截至2026年上半年，公司拥有研发与技术人员216人，占公司总人数的63.53%，其中本科及以上学历占比达98.15%。此外，公司通过员工持股平台东芯科创将核心骨干与公司发展深度绑定，有效激发了团队的创新活力和归属感。

目前，东芯股份在利基型存储芯片领域已建立起全品类产品优势，“存、算、联”一体化战略稳步推进。随着存储行业上行周期的持续深化，以及车规级产品、GPU芯片、Wi-Fi7通信芯片等新业务的逐步开拓与落地，公司有望在国产芯片产业中占据更加重要的地位。在当前全球半导体产业链重构和国产替代加速的大背景下，东芯股份的技术积累和战略布局，为其长期发展奠定了坚实基础。

4.民德电子：子公司广芯微电子晶圆代工采用包工包料模式

近日，有投资者在投资者互动平台提问：子公司广芯微的晶圆代工费用是否包工包料，原材料是否由公司自行购买承担，是否核算在代工费里？

民德电子(300656.SZ)8月22日在投资者互动平台表示，公司控股子公司广芯微电子采用纯晶圆代工模式，向上游采购硅片、特种气体等原材料，并采取定制化生产、包工包料的模式直接销售晶圆片给下游设计公司。目前广芯微电子的晶圆代工主要为包工包料模式，原材料由公司自行采购并承担，相关原材料成本已核算在代工费（晶圆销售价格）之中。

作为民德电子功率半导体业务的核心板块，广芯微电子专注6英寸特色高压功率半导体晶圆代工，是公司构建“晶圆原材料+晶圆代工+先进功率器件特种工艺代工+芯片设计”功率半导体smart IDM生态圈的关键环节。该公司自2023年底通线量产以来，产能持续爬坡，从2025年初的6000片/月提升至年末的4万片/月，良率稳定、客户数量稳步增长，2026年6月已将代工价格上调10%-20%，目前在手订单饱满。现阶段民德电子正推进10亿元定增项目，拟为广芯微电子新增6万片/月产能，重点投向IGBT、特高压VDMOS、700V高压BCD等高压、大功率应用场景产品，匹配AI数据中心、特高压电力设施、汽车电子等下游领域需求。受益于2025年底以来功率半导体行业步入上行周期，国际大厂收缩成熟制程产能导致供需关系紧张，广芯微电子的6英寸产线凭借生产柔性、经济性以及在高压产品领域的适配优势，正加速导入下游优质客户，随着后续产能逐步释放至一期规划的10万片/月，规模效应将逐步显现，盈利水平有望持续改善。