1. ViP+Tandem量产背后：当OLED开始叠层，无FMM带来了什么？

2. 面向物理AI和空间智能：捷扬微GT1500系列UWB芯片通过FiRa Core 4.0国际认证

3. 三星M2800基带转向2nm工艺，过半4nm产能腾挪给HBM4基础裸片

4. 曝：三星西安工厂升级，瞄准286层闪存

5. 英伟达实质收购Groq后首度出手！下一代AI芯片架构大转向 弃SRAM改采3D堆叠DRAM

6. 英特尔美国工厂建设提速！亚利桑那州新厂2028年投产

7. 马斯克称Terafab瞄准2028年Q3量产芯片：“挑战性极强”

1. ViP+Tandem量产背后：当OLED开始叠层，无FMM带来了什么？

近日，荣耀智能手表6 Pro正式发布，其1.5英寸穿戴屏由维信诺供应，采用维信诺ViP（智能像素化）工艺搭配Tandem（叠层串联）结构，实现规模量产出货。官方数据显示，这块屏幕局部峰值亮度可达5500nits、全局亮度4500nits，屏体功耗较上代下降20%，屏幕使用寿命提升至上一代3倍。

ViP制造工艺

第二，革新蒸镀工艺，突破物理尺寸限制。从小尺寸走向高世代，ViP的优势还体现在蒸镀方式上。传统FMM水平蒸镀在基板尺寸不断增大后，更容易受到基板自重下垂和高温形变影响，进而增加蒸镀均匀性和精确对位的难度。据了解，搭载ViP技术的高世代线将采用垂直蒸镀，通过调整大尺寸基板的受力状态，降低基板自重下垂带来的影响，为无FMM+Tandem向高世代、大尺寸产线延伸提供了新的制造条件。

FMM蒸镀过程

第三，更高的像素设计自由度，为亮度、功耗和寿命优化留出更多空间。光刻像素化不仅改变制造方式，也提升了像素结构设计自由度。ViP技术有效提升AMOLED发光开口率，这意味着，在达到相同显示目标时，器件可以拥有更大的设计余量。与Tandem结合后，ViP高开口率与叠层器件的特点可以形成协同，为进一步优化高亮、低功耗和长寿命提供更大的器件空间，最大化释放Tandem低功耗、长寿命、高亮度的核心优势。

从穿戴到高世代，ViP+Tandem走向更大舞台

此次ViP+Tandem在荣耀智能手表6 Pro上实现量产，首先证明了这套方案已经具备从器件设计、工艺适配到终端交付的完整产品化能力。亮度以及功耗、寿命等指标改善，说明ViP与Tandem的组合不仅停留在实验室性能层面，而是已经转化为可被用户感知的实际产品力。

更重要的是，这次穿戴量产为后续向更多终端拓展提供了工程基础。对于手机，ViP+Tandem可以继续发挥高PPI、低功耗和高亮度优势；进入平板、笔记本等IT产品后，则有望进一步放大Tandem在能效、寿命和高亮显示方面的价值；随着基板尺寸继续放大，ViP无FMM光刻像素化的工艺延展性，也将获得更大的发挥空间。

维信诺正在推进的8.6代AMOLED产线，正是这一产业化路径的重要承接。该产线设计月产能3.2万片玻璃基板，预计2027年投产。

从穿戴小尺寸量产，到手机、IT，再到高世代产线，ViP正在形成一条从技术验证、产品导入到规模制造逐级放大的产业路径。随着产能释放与工艺迭代，Tandem OLED有望从高端小众走向大众消费主流，推动国内高端 OLED产业迈入工艺自主、体系完善、稳步规模化的新阶段。

2. 面向物理AI和空间智能：捷扬微GT1500系列UWB芯片通过FiRa Core 4.0国际认证

10月22日消息，近日，专注于超宽带（UWB）芯片研发的深圳捷扬微电子有限公司（简称“捷扬微”）获得国际权威认可：其旗下的GT1500系列UWB芯片通过了国际标准组织 FiRa^® Consortium 的 FiRa Core 4.0 严苛认证。

这一认证不仅标志着捷扬微在多协议兼容性、车规级安全防护以及高精度测距定位等关键技术指标上的行业领先地位，更标志着其产品已具备为当前爆发式增长的端侧AI（Edge AI）与物理AI（Physical AI）提供底层三维空间感知支撑的能力。

精准度与安全性双重突破：GT1500系列芯片展现高标准技术底座

FiRa Core 4.0 是目前国际上针对UWB无线通信最新、最严苛的认证标准之一，重点提升了车联网安全、无感门禁交互以及复杂环境下测距定位的可靠性。作为面向下一代智能车联网、智慧门禁及物理AI的高性能UWB解决方案，捷扬微GT1500系列芯片在此次认证中全面展现了其扎实的技术：

- 车规级数字钥匙生态兼容：全面支持CCC（全球车联网联盟）数字钥匙标准，可无缝对接车载终端与智能手机，实现高精度的智启迎宾、安全解闭锁与复杂环境下的精确寻车。

- 跨场景智慧门禁无感通行：深度打通 Aliro 国际门禁标准，支持多层次快速安全校验，为办公楼宇、智慧住宅及交通闸机提供毫秒级、高安全防护的无感通行能力。

- 金融同级硬件安全与防攻击能力：芯片集成高等级安全配置与预置安全时间戳（STS）机制，从软硬件底层构筑防线，可有效抵御中继攻击等潜在安全风险。

- 高精度三维空间感知与灵活测距：支持到达角度（AoA）测量与厘米级测距，并具备强抗干扰与多目标（一对多）协同测距架构，能在复杂动态环境中实现稳定、高信赖度的空间定位。

从空间感知到意图认知：GT1500系列芯片赋能端侧AI与物理AI

在人工智能加速向物理AI与端侧AI演进的宏观浪潮下，机器对物理世界的感知正从单一的视觉图像处理，升级为包含多维空间动态的立体感知。GT1500系列UWB芯片所提供的厘米级测距与精确测角能力，正成为“物理三维空间直觉”的核心引擎。

1. 多目标协同与动态意图理解

依托GT1500系列芯片提供的高精度距离与角度数据，端侧AI设备可在复杂环境中实时追踪多个目标的空间位置。结合本地算力，系统不仅能掌握设备的绝对坐标，更能精准识别人机交互的动态意图，推动终端从“被动机械响应”迈向“主动智能服务”。

2. 本地化安全计算与毫秒级实时决策

GT1500系列支持敏感的空间鉴权与位置计算在芯片本地安全完成。这种去中心化的边缘处理模式，不仅规避了云端传输带来的隐私泄露风险，更将响应延迟压缩至毫秒级，为具身智能与物理AI的实时闭环控制奠定了坚实基础。

商业化落地加速：GT1500系列芯片构筑全场景空间智能生态

随着 FiRa Core 4.0 认证的通过，捷扬微GT1500系列UWB芯片正加速在多个垂直行业的商业化进程：

- 智慧出行（车规级应用）：助力车企打造无感数字钥匙体验，实现安全无感的丝滑解闭锁和尊享迎宾，并可结合车内AI，根据驾乘人员的精确定位实现个性化座椅调节、定向音场跟随及智能防盗保护。

- 无感通行（智慧门禁生态）：赋能办公楼宇、住宅和门禁系统在人员靠近时感知唤醒，带来丝滑、无感、安全的通行体验。

- 端侧AI与物理AI：为机器人、机器狗及智能仓储 AGV 等具身智能设备提供高精度室内定位与避障辅助，助力其在复杂物理空间中高效穿梭与协同作业。

关于捷扬微

深圳捷扬微电子有限公司致力于高性能超宽带（UWB）芯片的研发与创新，产品已经广泛应用于智能终端、智能汽车、智慧家居、消费电子及 AIoT 等领域。成功通过 FiRa Core 4.0 国际认证，是捷扬微深耕 UWB 核心技术的又一里程碑。未来，捷扬微将继续携手产业链上下游合作伙伴，持续以高品质的芯片产品赋能空间智能与物理AI的全面发展。

3. 三星M2800基带转向2nm工艺，过半4nm产能腾挪给HBM4基础裸片

据业内消息，三星电子正对其先进制程产能进行新一轮调配：下一代移动基带M2800将改用2nm工艺生产，由此腾出的4nm产能将主要投向HBM基础裸片（base die）——即位于HBM堆栈底部、承担控制功能的底层芯片。

韩国媒体The Elec援引业内消息人士报道称，三星System LSI已决定采用2nm工艺制造外挂式5G基带M2800，预计2027年完成开发。该基带将搭载于定于2028年发布的Galaxy S28系列，与下一代Exynos 2800以双芯片配置协同工作。

基带上探2nm之后，三星计划把释放出的4nm产能集中转向HBM。报道援引业内消息报道称，三星代工4nm总产能中已有过半分配给HBM4基础裸片；部分业内人士估计占比在50%至60%之间，不过三星官方尚未披露具体数字。

在此之前，基带制程仍在4nm上过渡：2027年Galaxy S27系列所用的M2700将继续采用4nm工艺，与Exynos 2700搭配；2026年Galaxy S26所用的外挂基带Shannon 5410同样基于4nm。其中，韩国版Galaxy S26标准版与Plus版采用Exynos 2600搭配Exynos Modem 5410的组合，美国版则搭载骁龙8 Elite Gen 5。

虽同为4nm工艺，据报道M2700在三星移动部门（MX）的内部测试中获得了不错评价，与前代表现有所不同。消息称，三星对基带的设计与软件进行了调整，以提升能效与数据传输速率，并引入光学收缩（optical shrink）技术——在同一工艺节点内等比缩小掩膜尺寸，使芯片面积缩小约4%。此外，M2700支持的3GPP标准将从Release 17升级至Release 18，同时强化非地面网络（NTN）能力。

4. 曝：三星西安工厂升级，瞄准286层闪存

据报道，三星电子正计划升级其位于中国西安的工厂，目标是在今年年底前将生产线切换至286层NAND闪存，以满足AI数据中心对先进存储产品不断增长的需求。

报道援引知情人士消息称，三星西安工厂目前主要生产约200层的NAND闪存，升级后将转向V9 NAND产品。该工厂目前约占三星全球NAND闪存产量的40%。

随着AI数据中心建设持续推进，市场对高性能存储产品的需求不断增长，存储厂商正调整产能布局，将更多资源投向先进存储产品。

不过，三星在中国工厂升级设备仍面临美国出口管制限制。根据相关规定，企业在中国工厂安装美国制造的半导体设备需要获得许可，这也给生产线升级带来额外程序。

与此同时，中国存储企业也在推进技术与产能布局。长鑫存储持续发展DRAM业务，国内NAND闪存产业也在探索更先进的3D NAND技术，全球存储市场竞争持续升温。

5. 英伟达实质收购Groq后首度出手！下一代AI芯片架构大转向 弃SRAM改采3D堆叠DRAM

外媒最新报道指出，AI半导体领域传出架构剧变信号，以高速SRAM设计闻名、近期遭英伟达实质性收购的芯片公司Groq正评估在下一代芯片中引入3D堆叠DRAM封装技术，试图摆脱传统SRAM架构的容量瓶颈。

目前，AI芯片多采2D封装，Groq计划导入3D封装，将多个半导体裸片垂直堆叠，其方案名为3DS，核心是利用TSV（硅通孔）技术在DRAM芯片内打穿数千微孔垂直互连，犹如为存储器建起摩天大楼，在单位面积内提供超高显存密度。

与英伟达高端显卡常用的HBM不同，两者虽均采TSV堆叠，但HBM追求极致数据交换速率，3DS则在保持现有DRAM标准接口协议的前提下，将重心放在存储容量扩张。对于必须载入海量参数的AI推理任务，此举是更务实的降本增效方案。

长期以来，Groq的LPU架构因极高推理速度备受瞩目，但依赖的SRAM容量极小，单芯片面对千亿级参数模型时捉襟见肘。

DRAM虽然原生读写速度略逊于SRAM，但大容量特性在复杂模型部署中更具优势。通过3D堆叠，Groq试图在维持速度优势同时解决“存不下”痛点，为超大型AI模型推理铺路。（来源： 钜亨网）

6. 英特尔美国工厂建设提速！亚利桑那州新厂2028年投产

当地时间10月21日，英特尔（Intel）公布美国先进芯片制造工厂建设进展，亚利桑那州新厂已进入设备安装阶段，俄亥俄州工厂项目也取得新进展。在数据中心处理器需求增长、公司加大资本开支的背景下，英特尔正推进美国本土制造产能建设。

英特尔副总裁Naga Chandrasekaran在公司官网发文称，位于亚利桑那州菲尼克斯附近奥科蒂洛（Ocotillo）园区的Fab 62工厂正在进行设备安装。这是工厂投入生产前的关键步骤，相关设备安装完成后，工厂才能逐步进入芯片制造阶段。英特尔表示，Fab 62预计于2028年初投入运营。

英特尔在奥科蒂洛园区规划建设两座新工厂，其中Fab 52已经投入运营，Fab 62则位于其附近。随着Fab 62建设推进，英特尔在亚利桑那州的制造布局将进一步扩大。芯片制造设备是新工厂建设中成本最高的环节之一，部分设备价格高昂，设备采购及安装进度也会影响工厂投产时间。

与此同时，英特尔位于俄亥俄州新奥尔巴尼（New Albany）的Ohio One工厂项目也出现新的建设进展。施工团队已安装该项目首座工厂的首个大型屋顶桁架，表明此前进展缓慢的建设工作正在继续推进。

Ohio One项目最初被规划为全球规模最大的芯片制造设施之一，也是英特尔扩大美国本土先进制程制造能力的重要布局。项目早期启动建设后曾一度放缓。英特尔现任首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）此前强调，相关项目需要以实际需求为基础推进，避免在需求尚不明确时过度投资。此次披露俄亥俄州工厂建设进展，显示项目正在继续推进，但公司尚未公布该项目新的明确投产时间表。

英特尔近年来持续推进制造业务转型，希望在生产自有处理器之外，为外部客户提供晶圆代工服务。不过，公司此前在先进制程竞争中面临挑战，外部代工客户拓展也不及预期，部分扩产计划因此受到影响。

近期，英特尔自有产品订单增长，尤其是用于运行人工智能服务的数据中心处理器需求上升，公司面临供应压力。尽管英特尔尚未公布大量具有代表性的新增代工客户，但自有产品需求为其制造产能扩张提供了新的支撑。

资本开支方面，英特尔今年7月曾表示，将把新工厂及设备投资提高至此前预期之上，2026年相关预算约为200亿美元，并预计2027年支出将显著增加。相比之下，市场预计，晶圆代工龙头台积电2026年资本开支约为600亿美元，三星电子的相关投资规模也高于英特尔。

随着亚利桑那州Fab 62逐步推进设备安装、俄亥俄州项目继续施工，英特尔正进一步完善美国本土芯片制造布局。不过，新厂建设进度、设备交付周期、后续产能利用率以及外部代工订单规模，仍将影响其扩产计划的实际落地。

7. 马斯克称Terafab瞄准2028年Q3量产芯片：“挑战性极强”

埃隆·马斯克（Elon Musk）在周二的SpaceX电话会议上表示，SpaceX与特斯拉（Tesla）合资成立的芯片制造企业Terafab计划在2028年第三季度实现量产。

马斯克谈到这一时间表时表示：“我对此设定了很大的误差范围，因为我们并不确定最终是否真能实现。”

该项目旨在为人工智能和机器人领域提供每年1太瓦（terawatt）的算力，而这一进度连马斯克本人都称之为“非常激进”。在美国，建造一座尖端逻辑芯片工厂通常需要三年甚至更长时间。

马斯克此前曾描述说，这一计划落户得克萨斯州的园区，将在同一座设施内整合先进逻辑芯片和存储芯片的先进制造、封装与测试环节。

马斯克还表示，就内部目标而言，Terafab计划在2027年5月或6月前后，让首颗采用静态随机存取存储器（SRAM）电路的测试芯片，在其位于奥斯汀（Austin）的研发设施中实现功能运行。

芯片制造商通常会通过制造SRAM电路，来打磨制程工艺的开发。

马斯克为激进时间表打“预防针”

马斯克曾多次设定公司未能实现的时间表。这位SpaceX首席执行官称，Terafab的时间表代表的是公司愿景，并表示这些日期“挑战性极强”。

“这么说吧，在2028年第三或第四季度的所有可能结果之中，实现量产至少位列其中，”马斯克说，“所以，对芯片生产来说，这样的时间跨度显然快得离谱。”

设备采购难题

在SpaceX的电话会议上，一位卖方分析师询问马斯克，SpaceX是否已下单采购极紫外（EUV）光刻机。要制造英伟达（Nvidia）和AMD的最尖端芯片，EUV光刻机必不可少。

马斯克没有正面回答这个问题，而是表示：“这些日期确实非常激进。为了达成这一目标，我们所有供应商都在加快设备交付，对此我们非常感激。”

Terafab面临的挑战之一，是如何从应用材料（Applied Materials）、KLA等供应商那里，采购到足够数量的复杂而昂贵的半导体制造设备。

英特尔今年4月表示，将加入Terafab项目，以帮助加速实现Terafab的目标。英特尔还发布了首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）与马斯克握手的照片，称当月在其园区接待了这位全球首富。两家公司尚未披露这一合作在实际中将如何运作。

10月早些时候，马斯克表示，曾就与全球最大先进芯片制造商台积电（TSMC）开展潜在合作进行过讨论。但他随后表示，Terafab将坚持由自己来运营这座设施。