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麻省理工团队成功研制出全新纳米级 3D 晶体管：量子效应加持，垂直纳米线结构创新
2024-11-07
麻省理工学院团队成功研发出一种新型纳米级3D晶体管，采用锑化镓和砷化铟的超薄半导体材料，性能媲美甚至超越现有硅基晶体管。该晶体管运用垂直纳米线场效应晶体管（VNFET）技术，通过垂直结构管理电子流，突破传统水平晶体管的局限。研究还引入量子隧穿原理，使晶体管在低电压下性能更优。这一创新有望大幅提升芯片上3D晶体管的集成度，开发出速度更快、性能更强的电子设备，同时实现更高的能效。未来，这项技术或可取代硅，成为硅晶体管领域的新高效选择。
