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1、蔚来汽车被指控侵犯换电专利遭索赔2.5亿美元 官方否认
2、北京大学集成电路学院王玮—张驰团队在高功率电子器件热管理领域取得突破性进展
3、中国科学院微电子所在DRAM刻蚀工艺三维仿真方向取得重要进展
4、北理工课题组在构建超高性能平面微型超级电容器方面取得进展
1、蔚来汽车被指控侵犯换电专利遭索赔2.5亿美元 官方否认
蔚来汽车
北京时间4月23日，据《金融时报》报道，一家已倒闭以色列创业公司的专利持有人，指控中国汽车制造商蔚来汽车侵犯其知识产权，并要求索赔2.5亿美元。这家以色列公司曾被视为电动汽车基础设施的开发先驱。
由加拿大商人拉里·克劳斯(Larry Krauss)控制的英属维尔京群岛注册实体Charge Peak，在周二就三项涉及电池更换技术的欧洲专利向蔚来汽车发出了停止侵权函。这些专利是该实体在2013年电动汽车集团Better Place倒闭后获得的。Better Place成立于2007年，是一家以色列公司，曾试图通过开发充电及换电站网络，来革新汽车行业并减少对化石燃料的依赖。
Charge Peak的律师在诉状中指控蔚来汽车“未经许可或授权，利用了以色列Better Place的模式、技术、经验和知识产权”。
Charge Peak并未提出具体的索赔金额，但表示愿意通过将其持有的全部Better Place知识产权(包括二十多项专利)出售给蔚来汽车来解决争议，并提出以蔚来汽车2025年125亿美元营收的2%作为赔偿“基准”，也就是2.5亿美元。
Charge Peak财务副总裁约塞夫·阿布拉莫维茨(Yosef Abramowitz)表示：“整个电动汽车行业都知道，早在蔚来成立之前，Better Place就已经开创并注册了电池更换的基础专利……以色列的电动汽车专有技术被不公平地利用，打造出了一家市值160亿美元的公司。”
他补充说：“我们准备就整个知识产权组合的收购进行真诚的谈判。”
蔚来汽车否认侵犯了Charge Peak的知识产权，称其换电站所使用的技术与“诉状中提及的三项专利存在实质性差异”，并表示公司已申请超过2200项与电池充电和更换相关的专利。
蔚来汽车表示：“这些指控在事实和法律上都是站不住脚的，也不符合行业技术发展的现实以及蔚来实际的研发实践。”该公司补充称，将采取“适当的法律措施”来维护自身的“合法权益”。
蔚来还表示：“蔚来换电站相关的所有技术，都是多年自主研发和持续迭代的成果。”
虽然专利和知识产权纠纷在中国电动汽车行业屡见不鲜，甚至包括国内竞争对手之间的争端，但此次指控为Nio动荡的发展历程增添了一个新的变数。不过，面临国内激烈竞争和海外需求疲软，蔚来汽车的经营在过去18个月中更为稳固，去年销量同比增长50%，超过32.6万辆。
Charge Peak要求蔚来汽车在6月5日之前对其诉状作出回应。（凤凰网）
2、北京大学集成电路学院王玮—张驰团队在高功率电子器件热管理领域取得突破性进展
随着高性能计算芯片的功率密度持续攀升，芯片级热管理正成为制约电子系统性能与可靠性的关键瓶颈。两相冷却能够利用相变潜热实现高效传热，被认为是高热流密度电子器件散热的重要发展方向。然而，在实际电子系统中，传统水冷方案虽然换热能力突出，却存在导电风险；绝缘工质虽具有电气安全优势，但普遍面临导热系数低、汽化潜热有限等问题。如何在保证电气绝缘的前提下进一步提升两相散热能力，仍是当前热管理研究中的重要难题。
针对上述挑战，北京大学集成电路学院、微米纳米加工技术全国重点实验室、集成电路高精尖创新中心王玮-张驰团队提出了一种基于多孔结构复合微翅片的芯片级两相射流冲击散热方案。该工作围绕供液歧管设计、表面强化沸腾及低热阻传热路径构建，设计并通过3D打印制备了分布式供液歧管，实现液汽分离路径以降低热阻；通过多孔结构与芯片背面刻蚀的硅翅片实现原位共形集成，在增大散热面积的同时增加汽化核心，提升了散热能力。最终该散热方案实现了无热界面材料（TIM）、无盖板的芯片级直接两相射流冷却散热封装，使用绝缘冷却工质Novec 649，实现散热功率610 W、芯片结温69℃、热阻0.07 K/W的高效散热。其中，在552 W输入功率下，芯片加热区域温差仍控制在10 K以内，展现出该结构在高热流密度条件下兼顾散热能力与温度均匀性的能力。
图1两相射流冲击冷却封装方案实物及液汽输运路径示意
研究表明，多孔结构与硅微翅片结构作为换热衬底，结合气液分离供液歧管的协同作用，是该散热方案获得高性能的关键。一方面，多孔结构提供了丰富的汽化成核位点和毛细补液能力，可有效延缓干涸发生；另一方面，气液分离供液歧管实现了分布式均匀供液，并通过液体供给路径与蒸汽排出路径的物理空间分离，降低了传热热阻。进一步比较不同样品后发现，较厚的多孔铜层有利于提高临界热流密度，更高的过孔孔径同样有助于改善液汽输运能力。该工作为高热流密度芯片热管理提供了一条具有工程应用前景的技术路线。
图2 本工作与文献中两相射流冲击冷却的热性能对比（水与绝缘流体工质）
相关成果以“Two-Phase Jet Impingement Cooling with Copper Inverse Opal Coated Microfins Using Novec 649”发表在封装领域权威期刊《电子封装》(Journal of Electronic Packaging)上。
论文链接: https://doi.org/10.1115/1.4071330
北京大学集成电路学院博士生石上阳、软件与微电子学院硕士生宁尚进为文章的共同第一作者，北京大学集成电路学院张驰副研究员为通讯作者。该研究工作得国家自然科学基金的支持。
王玮教授团队长期致力于先进封装中热管理技术的研究，在嵌入式微流体冷却、相变冷却及新型热界面材料等领域进行了一系列卓有成效的探索。团队的研究成果连续多年在传热学顶级期刊及电子元器件封装领域顶级国际会议IEEE Electronic Components and Technology Conference（ECTC）上发表，并不断刷新微流体散热的性能指标，推动了高效热管理技术在集成电路领域的应用与发展。微米纳米加工技术全国重点实验室团队将继续在芯片两相冷却技术上攻坚克难，旨在通过先进微纳加工与芯片级冷却架构设计，进一步提升高热流密度条件下电子器件的散热能力与运行稳定性，为新一代高功率电子器件的热管理提供技术支撑。
前期相关研究论文链接：
https://doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2017.10.044
https://doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2018.07.127
https://doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2020.120230
https://doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2022.123340
https://doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2024.125866
3、中国科学院微电子所在DRAM刻蚀工艺三维仿真方向取得重要进展
随着DRAM工艺不断向更小尺寸发展，控制有源区鳍形结构的刻蚀形状成为提高良品率的关键难题。业界普遍观察到所谓的wiggling AA效应，即鳍状结构出现了不均匀的侧壁和弯曲变形，这严重降低了电容效率和器件的可靠性。然而，这种现象的物理根源一直不明确，缺乏系统的表征和机理模型，导致刻蚀工艺难以精确控制。
面对这一挑战，中国科学院微电子研究所的EDA中心研究员陈睿与先导中心的高级工程师李俊杰、闻静，以及维也纳工业大学的Lado Filipovic教授合作，创新性地将聚焦离子束扫描电子显微镜（FIB-SEM）三维重构技术与刻蚀工艺模型深度结合，通过对不同工艺条件下刻蚀过程的仿真和实验，揭示了wiggling AA效应的核心机理和调控机制。
这项研究成果近期发表在Nature工程领域的子刊Communications Engineering上，题为“3D重建和动态随机存取存储器制造中wiggling有源区效应的刻蚀轮廓模拟”。微电子所的博士研究生呼子义是论文的第一作者，陈睿研究员、李俊杰高级工程师和Lado Filipovic教授为共同通讯作者。该研究得到了国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金面上项目、中国科学院国际伙伴计划等项目的支持。
论文链接：https://www.nature.com/articles/s44172-026-00626-3
图1 三维刻蚀模型框架（左上）DRAM有源区鳍形结构的FIB-SEM三维重构结果（左下）与仿真结果（右）。
4、北理工课题组在构建超高性能平面微型超级电容器方面取得进展
近日，北京理工大学化学与化工学院赵扬教授联合清华大学曲良体教授、王赢博士团队在国际顶级化学期刊《ACS Nano》上发表题目为“Cascaded Spatial Confinement Enables Simultaneous Ultrahigh Energy and Power Densities in Planar Micro-Supercapacitors”的研究论文（DOI: 10.1021/acsnano.6c02331）。北京理工大学为第一通讯单位，北京理工大学赵扬教授、清华大学曲良体教授、王赢博士为本论文的共同通讯作者，北京理工大学姜澜院士为本研究的合作者，化学与化工学院23级硕士研究生陈瑜为论文第一作者。本研究得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、京津冀基础研究合作专项等项目支持。
随着柔性电子、可穿戴设备及集成微系统的快速发展，对与之匹配的微型化、高性能电源的需求日益迫切。平面微型超级电容器（P-MSCs）因与微电子器件兼容性好、无需隔膜、离子扩散路径短等优势，成为理想的候选电源。然而，受限于器件尺寸和平面构型，其能量密度远未达到实际应用需求。如何在有限空间内协同优化电子与离子的传输与存储行为，是当前领域亟待解决的关键问题。
针对上述挑战，研究团队提出一种级联空间限域策略，构建了具有三维互锁结构的P-MSC，该策略将毛细力与电荷传输/存储行为耦合，实现了离子-电子的富集效果。通过在石墨箔集流体上激光刻蚀的金字塔形微阵列产生毛细力，将电极浆料和电解液限域在微沟槽内，构建致密的导电网络，并建立稳固的离子-电子相互作用界面，显著提升了离子的可及性和动力学性能。以锌//活性炭P-MSC为例，该策略将活性材料利用率提升了两倍以上，实现了117.5 mWh cm-3的优异能量密度和2382.0 mW cm-3的功率密度。该策略在多种P-MSC体系中展现出可靠的普适性。
图1. 平面微型超级电容器中级联空间限域策略的结构设计与性能优势对比
图2. 三维互锁结构平面微型超级电容器的制备与表征
图3. 基于级联空间限域策略的性能提升机制研究
制备的集成器件在为小型电子设备和柔性显示器供电方面显示出显著优势，为未来高度集成、可穿戴的电子设备提供了理想的供电解决方案。
图4. 集成器件应用验证
文章链接：https://doi.org/10.1021/acsnano.6c02331
