在新一代低成本、可规模化电子器件研发中,锡基钙钛矿因低空穴有效质量、高效载流子传输、弱离子迁移及溶液可加工性等特性,成为极具潜力的材料。但3D锡基卤化物钙钛矿活化能低、结晶速率快,易使薄膜质量降低、缺陷增多,且Sn2+易氧化为Sn4+形成锡空位,导致重p型掺杂,严重影响器件性能。