1.京东方“一种印刷线路板及其制备方法、显示装置”专利获授权

2.宁德时代“一种电池包及其用电装置”专利获授权

3.芯河半导体“一种macsec速率和端口混合的验证模型的实现方法”专利获授权

4.OPPO“反馈码本的方法、终端设备和网络设备”专利获授权

5.科研聚焦 | 南科大深港微电子学院潘权团队在高速集成电路设计领域取得重要研究成果

1.京东方“一种印刷线路板及其制备方法、显示装置”专利获授权

天眼查显示，京东方科技集团股份有限公司近日取得一项名为“一种印刷线路板及其制备方法、显示装置”的专利，授权公告号为CN112867237B，授权公告日为2025年10月14日，申请日为2021年2月23日。

本申请提供了一种印刷线路板及其制备方法、显示装置，其中，印刷线路板包括硬板区域和软板区域，软板区域位于硬板区域的第一边缘的外围；硬板区域的印刷线路板包括基板，以及层叠设置在基板一侧的胶膜、覆盖膜和第一金属层，胶膜靠近基板设置，覆盖膜靠近胶膜一侧的表面上设置有导流槽，导流槽延伸至硬板区域的第二边缘。通过在覆盖膜靠近胶膜一侧的表面上设置导流槽，且导流槽延伸至硬板区域的第二边缘，胶膜的溢胶可以有效地通过导流槽导流至第二边缘的外围，由于软板区域位于第一边缘外围，因此，可以有效地减少溢胶流向软板区域，缩小印刷线路板的预留溢胶空间，减小印刷线路板的尺寸。

2.宁德时代“一种电池包及其用电装置”专利获授权

天眼查显示，宁德时代新能源科技股份有限公司近日取得一项名为“一种电池包及其用电装置”的专利，授权公告号为CN118120085B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2022年6月17日。

本申请涉及一种电池包，其包括至少第一类电池单体和第二类电池单体，所述电池包包含A区域和B区域，其中所述A区域为保温能力较差的区域，位于所述电池包的四周和/或底部，剩余区域为B区域，其中A区域所包含的电池单体中所述第一电池单体的数量占比为10％至100％，并且B区域所包含的电池单体中所述第二电池单体的数量占比为5％至100％，其中所述第一类电池单体和第二类电池单体的体积能量密度D分别为D1和D2，且各自搭配的电解液在‑10℃下的离子电导率σ分别为σ1和σ2，定义K＝D2×σ，则K1＝D12×σ1且K2＝D22×σ2，其中：当D1＝D2时，K值满足0.2＜K2/K1≤0.99；并且当D1≠D2时，K值满足1.01≤K2/K1≤10。本申请还涉及包含所述电池包的用电装置。

3.芯河半导体“一种macsec速率和端口混合的验证模型的实现方法”专利获授权

天眼查显示，芯河半导体科技（无锡）有限公司近日取得一项名为“一种macsec速率和端口混合的验证模型的实现方法”的专利，授权公告号为CN116094975B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2023年2月6日。

本发明提出了一种macsec速率和端口混合的验证模型的实现方法，验证平台通过配置获取端口对应速率，为不同端口配置不同速率和不同的macsec加密算法的加密秘钥长度，可实现对多种速率和端口的macsec算法的验证，节省仿真时间，提高仿真效率和准确率。

4.OPPO“反馈码本的方法、终端设备和网络设备”专利获授权

天眼查显示，OPPO广东移动通信有限公司近日取得一项名为“反馈码本的方法、终端设备和网络设备”的专利，授权公告号为CN116054890B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2019年2月26日。

本申请实施例公开了一种反馈码本的方法、终端设备和网络设备，该方法包括：终端设备从离散傅里叶变换DFT阵列中选择M个频域DFT向量；所述终端设备根据所述M个频域DFT向量，从多个频域DFT向量指示集合中确定第一频域DFT向量指示集合，所述M个频域DFT向量的指示与所述第一频域DFT向量指示集合中的第一频域DFT向量指示等价，M为正整数；所述终端设备向网络设备发送指示消息，所述指示消息用于指示所述第一频域DFT向量指示集合。本申请实施例的方法，有利于降低终端设备反馈码本时的信令开销。

5.科研聚焦 | 南科大深港微电子学院潘权团队在高速集成电路设计领域取得重要研究成果

近日，南方科技大学工学院国家示范性微电子学院潘权团队在高速通信与光电集成电路设计领域再次取得重要进展，研究成果包括：一是一款集成固有前馈均衡与击穿电压三倍器的线性调制器发射机芯片，二是一款支持多阶串扰消除与信号复用的单端接收机前端芯片。相关论文成果均发表于IEEE Journal of Solid-State Circuits（JSSC）。

两款芯片分别针对高速链路中发送端和接收端的核心瓶颈实现突破。JSSC为集成电路设计领域公认排名第一的国际顶级学术期刊，展现了团队在高速模拟/混合信号与光电芯片方向的前沿研究实力与国际影响力。

基于模拟多路复用器固有前馈均衡与击穿电压三倍器技术的56 Gbaud 7.3-Vppd线性调制器发射机

光互连已成为数据中心内部与数据中心间网络中最核心的部分之一。其高带宽、低信道损耗和抗电磁干扰的优势，较好地满足了中长距通信需求，以支持云计算和人工智能技术的快速发展。硅基光子技术因集成度高、成本相对较低，成为实现高速光互连的理想方案。然而，该技术在实际应用中面临核心挑战：其调制器需要较高的驱动电压才能有效工作，而现有驱动芯片技术在提升电压输出的同时，往往难以兼顾信号质量和系统效率，成为制约性能进一步提升的关键瓶颈。

本文提出了一种半速率线性发射机，其单片集成了2选1模拟复用器（AMUX）与用于光学调制器的线性驱动器。该AMUX利用时钟信号与半速率数据流之间的时序关系，实现了一种固有前馈均衡器（FFE）功能，该均衡器可通过调整时钟延迟被重新配置为二抽头或三抽头模式。此外，为提升输出电压摆幅和线性度，本文针对线性驱动器提出了一种名为“击穿电压（BV）三倍器”的拓扑结构。通过堆叠三个异质结双极晶体管（HBT），并利用放大后的输入信号为顶部两个HBT的基极提供偏置，使该驱动器在保持良好可靠性的同时，实现了比传统共源共栅拓扑结构大三倍的输出摆幅。

该设计基于130-nm SiGe BiCMOS工艺制造，所提出的线性驱动器可实现17.1dB的直流增益、39.1 GHz的6-dB带宽，以及在6-Vppd、1-GHz正弦波输出时1.6%的总谐波失真（THD）。完整发射机（AMUX+驱动器）在56-Gb/s NRZ模式下可实现7.3 Vppd的最大输出摆幅，当启用固有FFE功能时，在4.2 Vppd摆幅下实现了112-Gb/s PAM-4的最大数据传输速率，为下一代高速光互连系统提供了关键的技术突破。

图1展示了线性调制发射机的电路架构图。图2(a)，(b)分别展示了具有固有前馈均衡功能的AMUX结构和于击穿电压三倍器的驱动器原理图。图3(a)，(b)，(c)分别展示了提出的发射机芯片面积、测量装置与测试环境，及测试结果。

陈福栈为论文的第一作者。陈福栈是南科大2025届博士毕业生（南科大-香港科大联合培养博士毕业生），目前在香港科技大学从事博士后研究。该论文得到了国家重点研发计划、深圳市科技重大专项、香港研究资助局卓越学科领域计划及优配研究金等项目的资助。

基于多阶串扰消除与信号复用技术的112 Gb/s单端接收机前端

随着人工智能和云计算的快速发展，高速互连对更高数据吞吐率的需求不断攀升。单端高速收发机凭借更高的引脚效率和更低的奈奎斯特带宽要求，正在成为突破传输速率瓶颈的重要候选方案。然而，在高密度通道中，单端链路极易受到严重的远端串扰(FEXT) 干扰，导致信号完整性 (SI) 恶化。由于 FEXT 在较高频率下不再遵循理想的微分模型，此前的方法无法有效地将其消除。

本文提出了一种采用多阶串扰消除与信号再利用技术的、用于背板链路的112-Gb/s单端PAM-4接收机前端。引入了能够准确表示较高频率下真实FEXT 的 N 阶 FEXT 模型。基于该模型，创新性地提出了一种多阶串扰消除与信号再利用技术 (M-XTCR)，以最小化残余串扰并增强高频信号的再利用能力。该方案不仅能够更彻底地消除残余串扰，更能将消除过程中提取的串扰能量转化为对有用信号高频分量的主动增强，从而在抑制干扰的同时提升信号质量。

该设计基于28-nm CMOS 工艺制造，接收机前端采用二阶 XTCR 拓扑，在一个4英寸长、信串比为33-dB的信道上验证了此技术。测试结果表明，与传统一阶XTCR 相比，采用二阶 XTCR 技术的接收机前端，在 56-Gb/s NRZ 信号下，测得的水平与垂直眼图张开度分别提高了 21% 和 34%；在 112-Gb/s PAM-4 信号下，分别提高了 24% 和 18%。该设计达到了0.34 pJ/b的最佳能效，性能优于现有技术水平，为高密度单端互连系统的实用化奠定了坚实基础。

图1展示了单端多阶串扰消除接收机前端的电路架构图。图2(a)，(b)，(c)分别展示了提出的接收机前端芯片面积、测试结果，及其功耗分布。

钟立平为论文的第一作者。钟立平是南科大2024届博士毕业生，现为广东工业大学特聘副教授。该论文得到了国家重点研发计划、深圳市科技重大专项以及南方科技大学高层次人才科研启动基金等项目的资助。（南方科技大学深港微电子学院）