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三星电子推出zHBM技术及V10 BV-NAND原型芯片，大幅提升存储密度
20 小时前
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来源：集微网
三星电子发布新一代人工智能存储技术BV-NAND原型芯片，拥有超400层，采用全新晶圆键合架构，存储密度提升约58%。还展示zHBM和zNAND-O架构概念模型，凸显人工智能需求强劲。
三星电子发布了新一代人工智能存储技术，旨在巩固其在蓬勃发展的人工智能市场中的芯片制造领先地位。
这家全球最大的存储芯片制造商选择在加利福尼亚州圣克拉拉举行的今年的“未来存储”（FMS）大会上推出其V10 Bonding V-NAND（简称BV-NAND）原型芯片。该芯片拥有超过400层，并采用全新的晶圆键合架构，以提高存储密度和性能。
随着人工智能工作负载从训练大型语言模型扩展到生成用户查询答案，对高容量NAND闪存的需求也随之增长。NAND闪存用于存储智能手机等设备中的照片、视频和应用程序等数据。
该公司表示，其BV-NAND技术相比之前的V9 NAND，存储密度提升约58%，同时提高了读取、写入和输入/输出性能，以满足人工智能系统对更高容量和更节能存储日益增长的需求。
三星还展示了其所谓的业界首款zHBM和zNAND-O架构的概念模型，概述了其下一代3D内存的愿景，该内存通过垂直堆叠存储单元来存储更多数据。
与传统的高带宽内存HBM（通常放置在AI芯片旁边）不同，三星的zHBM将内存垂直堆叠在人工智能加速器上方，从而缩短数据传输距离，提高带宽并提升能效。
三星表示，其晶圆键合技术可实现比传统HBM5内存高10倍以上的存储密度，同时将能效提高三倍，并将热阻降低一半以上。
尽管一些投资者对中国智能手机需求疲软后内存芯片的长期需求表示担忧，但分析师指出，人工智能（AI）的需求异常强劲。
三星近期披露，与客户签订的长期协议最终可能占其内存销售额的60%~70%，这凸显了人工智能需求的强劲势头。
花旗分析师在一份报告中指出，尽管终端市场需求疲软引发担忧，但DRAM和NAND供应链的库存仍远低于历史水平。
