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中国半导体新突破：通富微电子投产HBM2内存，国产AI加速在即
2025-01-25
中国半导体行业在高带宽内存HBM领域取得新突破，通富微电子已开始试产HBM2内存，并已供货给客户。同时，长鑫存储和武汉新芯在HBM2内存研发方面也取得显著进展。尽管国际巨头已发展至HBM3E阶段，中国企业仍在积极追赶，有望在全球市场中占据更重要位置。
