台积电部分员工因不满公司可能削减福利,计划效仿三星电子工人罢工,此消息引发全球半导体行业关注。鉴于台积电在行业及科技领域的重要地位,若发生劳资问题,全球经济或受重创。业内推测台积电将采取措施阻止罢工。周一,台积电紧急声明,称员工分红未减,且今年全年成长比例有望超过去年。公司感谢员工贡献,预计未来员工分红将继续增长。
韩国金融监管机构周二称,三星已成为韩国负债最多的企业集团,2025年底总负债将超SK集团。SK海力士母公司SK集团降至第三,现代汽车、乐天、LG分列第二、第四、第五。总体来看,共有42家企业集团被认定为高负债企业,较上一年增加1家。截至去年底,这些集团的银行信贷未偿余额达386.9万亿韩元(2550亿美元),同比增长4.1%。
2026年5月26日上午,A股主要指数下跌,上证指数跌1%,深证成指跌1.16%,创业板指跌0.8%。光纤概念、半导体概念及算力租赁板块领跌,全市场超4500只个股下跌。
5月26日消息,金百泽在业绩说明会上透露,公司专注于电子互连及封装技术,致力于PCB、IPDM及相关中试与工程服务能力的建设,业务广泛覆盖人工智能、信息技术、工业控制、汽车电子及医疗设备等多个领域。金百泽并不直接涉足半导体、存储器或存储芯片的设计与制造,而是依托自身在电子互连、封装基板、PCB设计、仿真分析以及样板和小批量制造等方面的优势,为客户提供研发、中试及工程化阶段的配套服务。公司正积极推进封装载板等高端特色产品的技术研发与产品能力建设,并开展存储、射频等芯片封装基板、多层超高密度互连类载板等的技术研究与产品开发,已实现样板和小批量交付。尽管这些能力可应用于半导体及高速通信等产业链环节,但目前仍处于产品研发迭代和客户拓展阶段,对公司整体收入和经营业绩的影响有限。
近日,思特威与紫光展锐正式达成战略合作,联合布局MicroLED高速光互连领域。双方将围绕光互连芯片设计与系统解决方案展开深度协同,为AI算力集群短距高速互连场景提供高带宽、低功耗、高集成、高可靠的国产化核心解决方案。
5月26日消息,据证监会网站,江苏亚电科技股份有限公司(简称“亚电科技”)于2026年5月25日在江苏证监局进行辅导备案登记,拟首次公开发行股票并上市,辅导券商为中信建投证券。此前,亚电科技已多次尝试进入资本市场。2025年6月,其科创板IPO申请获受理;7月,公司接受问询;2026年1月,因主动撤回上市申请文件,上交所终止了其IPO审核。
2026年5月26日,A股三大指数集体低开,沪指跌0.37%,深成指跌0.44%,创业板指跌0.45%。光伏玻璃、超硬材料、服务器概念板块跌幅居前,拓日新能、四方达跌超2%,寒武纪、紫光股份跌超1%。先进封装、宇树机器人、GPU概念板块领涨,华天科技涨停,中大力德涨超5%,通富微电涨超4%。
据韩国Newsis周二报道,三星电子非半导体部门工会已向韩国法院申请禁令,试图阻止半导体部门员工进行奖金上调投票。该工会涵盖智能手机、电视及家电部门约1.3万名员工。工会代表称,行动原因是被告知无权参与半导体部门工会员工的相关投票。上周五,三星约5.7万名员工就薪酬方案启动投票,该方案计划为存储芯片部门员工发放高额奖金,以避免一场为期18天的罢工。
半导体晶圆制造商环球晶董事长徐秀兰25日表示,今年市场状况显著优于去年,但因成本及折旧摊提上升,公司正与客户沟通下半年涨价事宜。当前,AI需求强劲,同时车用、工业用等非AI应用产品需求也在回暖。环球晶12吋晶圆产能已满载,中小尺寸晶圆稼动率也保持高位,市场能见度已延伸至第三季度。
5月26日消息,受台积电股价飙升影响,中国台湾地区股市市值超越印度。截至周一,台股市值达4.95万亿美元,印度股市市值则降至4.92万亿美元。台积电占台股基准指数超42%,今年股价已上涨49%,得益于其在AI芯片领域的主导地位。台湾市值上升与印度下跌形成对比,凸显两大趋势:伊朗战争推高油价拖累能源进口国,而AI热潮推动科技股上涨,台湾等制造业中心受益显著。
5月26日,亿仕登控股在港交所公告,其持股66.5%的附属公司IDI Dynamics推出新一代半导体晶片封装高速镭射打标机,打标速度提升2.5倍,占地面积减少22%。该产品已通过亚洲6个OSAT部署正式推出,旨在最大化洁净室空间制造生产率,满足晶片需求增长和新建成本飙升的双重挑战。
26日,SK海力士宣布推出“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”,有效降低产品运行时的发热量。SK海力士计划将此技术应用于HBM5等下一代产品,以满足高性能计算、AI数据中心等对散热要求极高的应用场景,提升系统稳定性与运行效率。
中金公司研报指出,随着光通信需求增长和速率提升,无源光器件的重要性愈发显著。光学厂商正从消费电子领域转向光通信领域,中金公司认为,这些厂商的核心技术和大规模高可靠生产能力具有可迁移性,有望开辟新的增长路径。光学厂商长期服务于消费电子、车载等出货量庞大的市场,在超精密冷加工、模压、镀膜、纳米压印、光刻刻蚀等技术上有着深厚积累,且具备高良率、高可靠性的量产能力。目前,多家厂商已拓展至光通信微透镜阵列、V型槽FAU及光模块等产品,积极捕捉可插拔市场的增量需求,并前瞻性地布局CPO、OCS等领域,有望为公司带来新的增长动力。
5月25日,A股三大指数全线飘红,创业板指涨幅超2%。半导体产业链强势领涨,推动市场整体上行,当日超2100只个股上涨,120余只涨停。市场成交额达3.23万亿元,较前一日有所放量。资金流向方面,沪深两市主力资金净流出超120亿元,但电子板块逆势吸金近100亿元,显示资金对该板块的持续关注。分析人士指出,市场交投活跃度保持高位,资金格局稳定。市场驱动因素正从预期和流动性转向盈利,虽短期波动加剧,但中期结构性行情的基础依然坚实。
2026年以来,多家PCB上市公司披露扩产计划,重点聚焦高端产能。业内认为,国内企业布局PCB高端产能,主要受下游AI服务器、新能源车、先进封装等需求快速增长、国产替代窗口期到来、海外厂商高端产能收缩等因素驱动。吉安满坤科技正在推进泰国高端PCB生产基地项目,预计2027年投产。此外,沪士电子、鹏鼎控股、深南电路等企业也公布了高端PCB项目投资计划。业内指出,高端PCB供应偏紧,供需缺口较大,行业正处于产业升级关键期,未来将呈现两极分化,国产替代将向纵深发展。
港交所储备项目丰富,不含秘密递交,目前有410家企业上市申请处于“处理中”状态,6家已通过聆讯,共计416家。其中,57家企业通过生物科技和特专科技领域的上市规则递交申请,另有100多家已在A股上市的企业也在排队中。如此庞大的待处理申请数量,充分体现了发行人的信心。
美光科技正加速推进第六代高带宽内存HBM4的产能优化,其优化速度是去年HBM3 12层产品的两倍,且良率提升显著。HBM4将应用于英伟达的人工智能计算平台Vera Rubin。其产能提升得益于前代产品的经验积累、采用10纳米级第五代1β工艺制造核心芯片,以及基底芯片的优化。下一代HBM4E标准产品计划明年量产,其核心芯片将采用10纳米级第六代1γ工艺,并首次引入ASML极紫外光刻设备,基底芯片则交由台积电代工。同时,美光也在筹备客户定制产品。竞争对手三星电子和SK海力士也在以1c工艺开发HBM4E,三星计划今年二季度出货样品,SK海力士则计划今年下半年提供样品,明年量产。美光预计,到今年中期,基于1γ工艺的DRAM及第九代NAND闪存产品出货量将占总出货量的一半以上,1γ DRAM将成为按晶圆产量计算的最大单一DRAM工艺。
行云科技发布公告,其控股子公司行云存算已与浙江甚湖签订《设备销售框架协议》。根据协议,行云存算将向浙江甚湖出售自有品牌的企业级SSD硬盘,含税总价达3.22亿元。若合同顺利执行,预计将对公司未来经营业绩产生积极影响。此次销售的产品主要面向AI服务器相关业务,并可配套公司其他相关业务。该合同的签订将有助于加速公司自研产品的销售,并提升品牌在行业中的影响力。
英特尔晶圆代工服务正引领全球玻璃基板技术发展,其位于新墨西哥州的里奥兰乔工厂有望成为全球首个大规模量产玻璃基板的生产基地。玻璃核心基板技术在半导体行业备受关注,相比传统有机基板,它具有多重优势。当前,受人工智能超级周期影响,基板市场供应短缺,全球最大基板供应商之一味之素已宣布提价。这些供应链压力促使业界加速探索先进封装解决方案,玻璃基板技术由此得到发展。
美国存储芯片巨头美光的管理层在第54届摩根大通全球科技、媒体与通信大会(TMC)上表示,高带宽存储(HBM)、DRAM和NAND闪存等关键产品的供需紧张局面将持续到2026年之后。摩根大通在研报中披露了这一观点,指出即便新建晶圆厂在2027年投产,DRAM和HBM的供需紧张状况仍难以解决,美光目前仅能满足关键客户中期需求的50%至三分之二。
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