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英特尔18A节点SRAM密度与台积电持平 背面功率传输是一大优势
2025-02-21
英特尔在国际固态电路会议(ISSCC)上展示了其半导体制造领域的最新进展，重点介绍了备受瞩目的18A工艺技术。该技术通过结合PowerVia系统与RibbonFET(GAA)晶体管，实现了SRAM位单元密度的显著提升。这一改进对于现代芯片设计至关重要，因SRAM密度对于节点间的缩放具有关键作用。英特尔的18A工艺技术在提高芯片性能和能效方面迈出了重要一步。
