SK海力士正研发新一代低功耗内存LPDDR5M,其数据传输速率达9.6Gbps,与LPDDR5T持平,但能效提升8%,工作电压降至0.98V。该技术有望应用于智能手机等设备端AI功能,以降低电量消耗。SK海力士预计年内推出LPDDR5M产品。此外,SK海力士在高带宽内存HBM领域也取得突破,12层堆叠HBM4试产良品率已达70%,计划2025年向英伟达提供样品,支持其Rubin架构产品。公司预计下半年推出首批12层堆叠HBM4产品,2025年第三季度全面供应,以巩固在高端内存市场的地位。