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中微公司在等离子体刻蚀技术领域再次实现重大突破
2025-03-26
中微公司宣布，其ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®在气体控制精度上取得新突破，反应台间刻蚀精度已达0.2A（亚埃级），该精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜刻蚀工艺上均得到验证。这一精度约为硅原子直径的十分之一，是人类头发丝直径的500万分之一，标志着等离子体刻蚀技术的又一重大创新。
