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中国科学院利用新型堆叠纳米片沟道表面处理技术研制成功接近理想开关的GAA晶体管
2025-03-27
中国科学院微电子所的集成电路先导工艺研发团队推出了一项新技术——低温臭氧准原子级处理（qALE），它与GAA晶体管纳米片沟道释放工艺完全兼容。此技术能在纳米片沟道释放后，利用极薄的臭氧进行自限制氧化与腐蚀反应，精确移除纳米片沟道表面的Ge原子残留，同时避免对内层Si沟道造成损伤。
