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厦门大学杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓功率器件和深紫外光电探测器领域研究取得重要进展
3 天前
学院杨伟锋教授团队在第四代半导体材料氧化镓（Ga2O3）的功率器件及日盲光电探测器研究上取得关键进展。相关成果已发表于Applied Physics Letters及IEEE旗下多个微电子器件制造领域的学术期刊，为高性能Ga2O3器件的应用提供了重要支撑。
