在今日举行的2025英特尔技术创新与产业生态大会上,英特尔宣布其18A工艺已在亚利桑那州Fab 52工厂启动大规模量产。该工艺采用全环绕栅极晶体管与背面供电技术,显著提升了能效与晶体管密度。与上一代制程相比,18A工艺在相同能耗下性能提升15%,晶体管密度增加30%。英特尔称,此技术将成为公司未来三代产品的技术基石,目前正基于该技术加速后续产品的研发进程。