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三星公布首批2纳米芯片性能数据，加速追赶台积电
3 天前
11月19日消息，三星电子公布了其即将推出的2nm芯片工艺的首批性能数据，这表明三星将更积极地推进下一代晶圆代工制造，以缩小与台积电的差距。三星宣布，其首代2nm工艺采用全栅极环绕（GAA）晶体管技术，与第二代3nm工艺相比，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面积缩小5%。这是三星首次发布2nm芯片的具体规格，此前仅有概念性描述。目前，台积电在全球晶圆代工市场占据超70%的份额，三星约为7%。多数分析师预计，鉴于台积电产量高、生产稳定，且AI加速器和数据中心芯片需求不断增长，其领先地位将持续。不过，韩国业内人士认为，从2nm节点开始，竞争可能会加剧。
