安森美半导体将与格芯合作开发新一代氮化镓功率器件
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安森美半导体12月19日宣布与格芯签署合作协议,将利用格芯先进的200毫米eMode氮化镓硅基工艺,共同开发并制造先进氮化镓功率产品,首款产品为650V器件。此次合作将加速安森美高性能GaN器件及集成功率级产品路线图推进,满足AI数据中心、汽车等多领域功率需求。