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中国科学院微电子所在4H/3C-SiC 单晶复合衬底与器件方面取得重要进展
5 天前
近日，中国科学院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队联合香港大学、青禾晶元集团、武汉大学、中科院物理研究所等单位，成功研发大尺寸4H/3C-SiC单晶复合衬底，突破低压（<600V）4H-SiC器件比导通电阻极限性能。该团队创新提出“高质量4H-SiC薄膜+低阻3C-SiC衬底”异质集成方案，通过氢离子注入、离子束表面活化键合、超高温退火等工艺，实现衬底电阻率降至0.39mΩ·cm（较传统4H-SiC衬底降低45倍），并制备出200V肖特基势垒二极管，其比导通电阻低至0.50mΩ·cm²（国际最优水平），浪涌电流耐受能力达312A。该成果为下一代低压碳化硅功率器件提供了高性能平台，相关论文于12月8日在第71届国际电子器件大会（IEDM 2025）上以口头报告形式发表。
