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台积电开始量产2nm芯片：首度采用GAA晶体管，性能提升10%~15%
10 小时前
台积电N2（2纳米级）制程技术于2025年第四季度正式量产，首次采用GAA纳米片晶体管技术，实现性能提升10%-15%，功耗降低24%-35%，晶体管密度提升15%-20%。该制程还引入低电阻重分布层和超高性能金属-绝缘体-金属电容器，进一步提升能效。首批芯片在Fab 22晶圆厂生产，预计2026年加速产能爬坡，巩固其晶圆代工市场领先地位。
