台积电已按计划于2025年第四季度启动2nm(N2)制程芯片的大规模量产,尽管未举行正式发布会,但官网技术页面确认了这一进展。该技术采用第一代GAA纳米片晶体管,通过全环绕栅极结构优化静电控制、降低漏电率,实现同等功耗下性能提升10%-15%,同等性能下功耗降低25%-30%,晶体管密度提升15%(纯逻辑电路设计提升达20%)。量产初期由高雄Fab 22厂主导,新竹Fab 20厂后续加入,2026年产能将快速爬坡,覆盖苹果、英伟达、AMD等客户的高端手机芯片及AI/HPC处理器需求。作为N2家族延伸,N2P工艺(性能功耗优化版)和搭载超级电轨背面供电技术的A16工艺计划于2026年下半年量产,进一步巩固台积电在先进制程领域的领先地位。
