搜索
氮矽科技推出低压氮化镓驱动集成芯片DXC150LX070，提供三种FC-LGA 5×6封装选项，适用于高频高密度电源
1 周前
在通信基础设施和数据中心能源等领域，电源系统正朝着高频化、小型化和高效率方向发展。氮化镓（GaN）器件因其出色的电子迁移率和开关特性，成为突破硅基功率器件限制的关键。为充分发挥其潜力，需高性能驱动和低寄生参数封装。为此，氮矽科技推出了三种FC-LGA 5×6封装的低压氮化镓驱动集成芯片DXC150LX070，可简化系统设计，为客户提供稳定可靠、易于应用的高频功率开关核心。
