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西电团队攻克芯片散热世界难题：界面热阻降至原先三分之一
5 天前
西安电子科技大学郝跃院士团队在半导体材料领域取得关键突破，解决了困扰业界二十年的芯片散热与性能瓶颈问题，相关成果已发表于国际顶级期刊。该研究通过改善半导体材料层间界面质量，解决了传统氮化铝中间层“岛屿”结构对射频芯片功率提升的限制，将界面热阻降低至原先的三分之一，有效解决了散热难题。基于此技术研制的氮化镓微波功率器件单位面积功率提升30%至40%，有望使探测设备探测距离更远、通信基站信号覆盖更广且能耗更低，同时提升普通用户体验。目前，团队正研究应用超高热导材料，若成功，半导体器件功率处理能力有望提升至当前水平的十倍以上，为半导体器件发展奠定关键基础。
