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SK海力士、三星加速HBF商业化进程 最快明年用于英伟达产品
2026-01-18
HBM耗时近十年成为半导体产业焦点，而其迭代技术HBF商业化进程正加速。据韩国经济日报等外媒报道，SK海力士正与闪迪合作推进HBF标准制定，计划最早于2026年推出HBF1样品，采用16层NAND闪存堆叠。HBF即高带宽闪存，通过垂直堆叠NAND闪存实现高带宽，虽延迟高于HBM，但容量可达其10倍以上，单位成本更低。HBF专为AI推理设计，与HBM协同突破“内存墙”，预计2038年市场规模将超HBM。三星电子和闪迪计划最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。
