搜索
三星据悉将扩大用于HBM4的DRAM产能
2 小时前
2月6日消息，三星电子计划今年将基于10纳米工艺的第六代（1c）DRAM（用于HBM4）产量提升约170%。为此，三星将在韩国京畿道平泽第四工厂安装设备，预计明年第一季度实现月产10万至12万片DRAM晶圆，该生产线将全部配备制造HBM4用1c DRAM的设备。目前，三星1c DRAM月产能为7万片晶圆。
