天眼查信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司近日获得一项名为“存储块及其制程方法、存储单元”的发明专利授权,专利号为CN117998855B。该专利申请于2022年10月27日,授权公告日为2025年10月17日,核心方法包括在半导体基材上开设字线孔洞分割存储子阵列层,通过浮栅存储结构与栅极材料填充形成高密度存储单元。