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三星电子1c DRAM芯片良率突破80% 进入稳定生产阶段
16 小时前
三星电子在10纳米级第6代DRAM“1c”生产上取得关键进展，良率已超80%，进入稳定生产阶段。此前，该产品去年第四季度良率在60%至70%之间，预计5月将达90%，高良率将显著提升半导体收益。近期，DRAM价格上涨、营业利润增加，三星凭借稳定良率有望进一步提升利润率。此外，以1c DRAM为基础的HBM4良率也从去年第四季度的50%提升至近60%。1c DRAM是三星的战略产品，DS部门副会长曾亲自指挥设计改进，以增强其核心竞争力和HBM能力。
