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砺芯半导体：5nm和2nm芯片后端设计的漏电功耗控制
2 小时前
半导体工艺向5nm、3nm乃至2nm演进，芯片后端设计面临技术挑战。5nm工艺晶体管密度达130-150 MTr/mm²，典型阈值电压降至0.65V，静态功耗占比高达45%。12nm工艺虽成熟，但漏电控制仍关键，高温下漏电流指数级增长，影响芯片性能和可靠性。其他先进工艺节点可借鉴此类情况。
