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三星停产2D NAND闪存 将旧产线改造为HBM4现代工厂
9 小时前
据韩媒The Elec报道，三星电子将于今年3月正式停止2D NAND闪存生产，并改造华城园区12号线为1c DRAM后端产线，月产能8万-10万片12英寸晶圆。此举标志着三星全面退出2D NAND市场，转向3D V-NAND与HBM4等高端存储，以应对AI算力需求激增。改造后，三星西安工厂将专注3D NAND生产，而DRAM产能向1c工艺倾斜，支撑HBM4量产及服务器市场扩张。全球2D NAND供给缺口将持续至2027年，兆易创新等厂商有望承接海外份额，提升定价权与毛利率。
