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报道：SK海力士正探索HBM4新封装技术，剑指英伟达顶级性能目标
10 小时前
SK海力士正研发下一代高带宽内存的封装创新技术，推进封装架构改良，包括增厚DRAM芯片、缩小DRAM层间距，目前处于验证阶段。该技术旨在突破HBM4性能瓶颈，若成功商业化，有望达到英伟达设定的HBM4顶级性能指标，巩固SK海力士的技术领先地位，为下游客户提供更具竞争力的方案。该技术优势在于资本投入低，但大规模量产可能面临挑战，技术稳定性和工艺一致性仍需提升，商业化时间表尚未确定。市场有风险，投资需谨慎。
