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三星重构HBM4E电源网络：大幅压低缺陷率 并探索与GPU分离的可行性
9 小时前
三星在宣布全球首批HBM4商业出货两周后，正对其新一代HBM4E高带宽显存的电源供给网络进行大幅结构性调整，以应对下一代AI芯片设计中的供电与散热难题。此前量产的HBM4产品已能在11.7Gbps下稳定运行，并具备冲刺13Gbps的速度冗余。三星计划通过重构供电网络，将供电凸点分割为更小区域，减少供电拥堵，降低电压压降和热量产生，从而提升芯片性能和可靠性。据三星数据，新设计使HBM4E的金属电路缺陷率较HBM4降低97%，电压压降改善41%，支持更高运行速率。此外，三星还在探索HBM与GPU的分离设计，利用光子技术实现高速互连，进一步缓解散热问题。
