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赶超SK海力士梦碎：三星猛冲高端内存 却栽在基础良品率上
16 小时前
三星在高端内存领域的追赶计划受挫。因关键基础技术D1d DRAM良率未达内部目标，三星决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产。D1d DRAM是三星第七代10纳米级工艺，原计划用于第九代HBM产品HBM5E，是未来HBM解决方案的核心。
