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盛美上海首台PECVD SiCN设备顺利出机
2 小时前
2026年4月27日，盛美上海宣布其首台等离子体增强化学气相沉积（PECVD）碳氮化硅（SiCN）设备正式出机。该设备专为300毫米晶圆设计，支持55纳米及以下高端IC工艺后段金属互联中的PECVD NDC (SiCN)工艺，应用于铜氧化抑制、铜扩散阻挡层及刻蚀停止层。设备采用自研三工位旋转沉积架构，最高工艺温度达400摄氏度，配置四个晶圆装载口及三个工艺腔体，已通过临港实验室验证并发往客户端进行最终验证。
