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三星晶圆代工4nm芯片良率突破80% 有望正面迎击台积电
5 小时前
据韩国最新报道，三星晶圆代工在4nm FinFET制程量产上取得重大突破，良品率已超80%，标志着该制程正式成熟。这一进展是三星在先进制程领域追赶台积电的关键里程碑。三星自2021年推出4nm工艺以来，持续改进，良率从初期约35%提升至如今水平，并重新获得谷歌、AMD等客户订单。2026年，三星还将4nm工艺应用于HBM4基板芯片制造，并计划向英伟达供货。
