近日,北京航空航天大学集成电路科学与工程学院的赵巍胜教授和张悦教授团队,在超快自旋电子器件领域取得重大突破。该团队利用CoTb/Ti/CoFeB/MgO多层膜结构,借助亚铁磁材料CoTb中稀土元素Tb的强自旋轨道耦合效应,成功实现了皮秒尺度的全电学垂直磁矩翻转。这一成果刷新了国际同类器件的最优纪录,最短写入脉宽达到16皮秒,单比特功耗低至41飞焦,为自旋电子器件迈向太赫兹超快工作频段奠定了坚实基础。