近日,合肥工业大学唐荣风教授与中国科学技术大学陈涛教授在硒化锑(Sb2Se3)光电转换器件研究上取得新突破。针对Sb2Se3光伏器件开路电压损失大的问题,研究团队提出成分调控的载流子极性控制策略,在吸收层内构建p-n同质结,增强内建电场,抑制非辐射复合,从而提升器件性能。相关成果已发表于《自然光子学》杂志,题为“Internal Homojunction Sb2Se3 Solar Cell”。