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瀚薪科技获两项专利，夯实SiC技术壁垒
1 天前
近日，瀚薪科技在第三代半导体技术研发上取得新突破，成功获得两项国家专利授权，分别是“一种SiC半导体组件的制作方法”（专利号：ZL2021110482707.0）和“顶部散热封装结构”（专利号：ZL202530634689.2），进一步巩固了其在SiC功率器件领域的技术优势。
