5月27日消息,环旭电子在新世代功率解决方案领域取得重大突破,成功将碳化硅(SiC)晶粒预埋于多层ABF基板,并创新采用单面铜裸露(SSC)模块封装技术。这一创新使业界标准功率封装体整合了陶瓷绝缘基板与无线键合工艺,实现了内绝缘功率分立器件的技术突破,封装本体具备电气绝缘能力,同时展现出低杂散电感与极低导通阻抗的优势。环旭电子计划于2026年6月9日至11日参加德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2026,展示其最新芯片预埋封装技术、先进功率模块及系统整合解决方案。