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中国科学院微电子所在先进电子器件TCAD仿真方面取得进展
15 小时前
近日，微电子所EDA中心针对后摩尔时代的器件-电路协同设计需求，重点研究了界面量子输运、逻辑单元互连和非傅立叶传热建模等问题，在二维存储器和先进逻辑器件的TCAD仿真领域取得了一系列进展。针对二维材料闪存，该所与复旦大学合作建立了含时量子输运模拟框架，揭示了亚纳秒编程机理，为界面与势垒优化提供了依据。对于CFET器件，研究团队提出了新型混合沟道互连集成架构方案及协同优化流程，减少了绕线和单元面积。此外，针对器件微缩和三维堆叠带来的自热问题，研究团队建立了非傅立叶瞬态热模型，提出了通过调控金属连接结构降低热点温度的方法。相关成果已发表于IEEE Electron Device Letters和IEEE Transactions on Electron Devices。
