5月29日,三星电子宣布,已开始向全球主要客户交付首批12层48GB HBM4E样品,这是下一代AI高带宽存储技术的关键突破。继今年初率先量产HBM4并实现商用后,三星再次领跑HBM市场,为AI算力基础设施升级提供核心支持。HBM4E采用第六代10纳米DRAM工艺和4纳米逻辑基片,性能提升超20%,容量增加30%以上,能效提升16%,散热效率显著增强,专为大模型、生成式AI及高性能计算场景设计。