近日,南京大学余林蔚、王军转教授课题组基于面内固液固生长机制,提出“台阶限域异质前驱体供给”新策略。该策略无需高精度光刻,首次实现了Ge-QDs在硅纳米线中的精准定位与尺寸可控构筑。利用Si/Ge间的Type II带隙偏移,课题组成功制备出可在50K温度下稳定运行的单空穴晶体管器件,为硅基量子器件的大规模可控制造提供了新路径。