搜索
新型半导体超薄结构可兼顾低漏电与高性能
5 小时前
半导体芯片及其内部组件正朝着极限超薄化发展，但器件越薄导电越难。为解决这一问题，韩国浦项科技大学研究团队重新设计了超薄碲晶体管的金属—半导体接触结构，开发出降低接触电阻的新技术。该技术通过局部增厚与电极接触的关键区域，将接触电阻降至原有水平的1/50，并显著提升了低温性能。相关成果已发表于美国化学会《ACS Nano》杂志。
