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我国成功研制出三维多层片上电容，可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片
2 小时前
6月12日，湖北江城实验室宣布在电容关键技术上取得重大进展，成功研发出三维多层片上电容，电容密度高达每平方毫米1000纳法。这一成果可直接应用于AI、GPU芯片及高性能处理器等高端芯片，为高算力、低功耗芯片的研发提供有力支撑。目前，相关技术正进行工艺流片及小批量试产，未来将在先进封装领域实现规模化应用。电容在电路中扮演着“蓄水池”的角色，能在芯片电流波动时迅速充放电，稳定电压，确保芯片获得纯净稳定的电流。在算力系统中，电容被视为“电RAM”，与HBM的数据缓冲功能相辅相成，共同为算力提供能量缓冲。GPU瞬时功率拉满时，需依赖从纳秒到秒级的多级电力缓存接力供电。
